SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ – INSTYTUT MIKROELEKTRONIKI i FOTONIKI
poszukuje Kandydata na stanowisko
Młodszy Specjalista ds. epitaksji
w pionie badawczym
nr naboru N/22/46
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych
i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Rodzaj umowy: umowa o pracę
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Wymiar etatu: 100%
Miejsce pracy:
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki,
Grupa Badawcza Fotonika Podczerwieni (B6)
Warszawa
Zakres obowiązków:
- Wzrost heterostruktur półprzewodnikowych z rodziny III-V przy użyciu technologii epitakcji z wiązek molekularnych (MBE), w szczególności struktur kwantowych laserów kaskadowych opartych o układ materiałowy InGaAs/InAlAs/InP;
- Opracowanie nowych metod prowadzenia procesu osadzania, optymalizacja warunków wzrostu, projektowanie procesów i tworzenie procedur technologicznych;
- Charakteryzacja parametrów warstw i struktur półprzewodnikowych, analiza uzyskanych wyników oraz wprowadzenie korekt do technologii osadzania;
- Serwis urządzeń technologicznych – reaktora MBE, aparatury wspierającej, w tym aparatury próżniowej i systemów pompowych;
- Realizacja badań naukowych i prac rozwojowych;
- Współtworzenie raportów i publikacji.
Wymagania:
- Wykształcenie wyższe, wykształcenie średnie i 5-letnie doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym albo wykształcenie średnie branżowe i 5-letnie doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym (preferowani absolwenci studiów inżynierskich i/lub magisterskich na kierunku fizyka, elektronika lub inżynieria materiałowa);
- Wiedza z zakresu wzrostu kryształów, fizyki i technologii laserów półprzewodnikowych w szczególności kwantowych laserów kaskadowych;
- Znajomość technologii osadzania warstw metodą epitaksji z wiązek molekularnych (MBE);
- Znajomość języka angielskiego na poziomie B1/B2;
- Zainteresowanie pracą eksperymentalną;
- Umiejętność pracy w zespole;
- Systematyczność i rzetelność;
Mile widziane:
- Doświadczenie w pracy w laboratorium technologicznym (prace serwisowe przy urządzeniu MBE i aparaturze wpierającej pracę reaktora);
- Wiedza z zakresu ultra wysokiej próżni (UHV);
- Umiejętność tworzenia rzetelnej dokumentacji pomiarów i analizy uzyskanych danych pomiarowych oraz przygotowania raportów.
Wymagane dokumenty:
- CV zawierające szczegółowy opis kwalifikacji i doświadczenia zawodowego potwierdzające spełnianie wymagań i zdolność do wykonywania obowiązków wskazanych w niniejszym ogłoszeniu;
- Kopie dokumentów potwierdzających posiadane wykształcenie i kwalifikacje
Kandydatom oferujemy:
- pracę w organizacji badawczej nastawionej na realizację innowacyjnych, prestiżowych projektów B+R,
- możliwość zdobycia unikalnego doświadczenia zawodowego,
- zatrudnienie na umowę o pracę,
- możliwość skorzystania z atrakcyjnej oferty na opiekę medyczną, ubezpieczenie
na życie i pakiet sportowy; - pracę w przyjaznej atmosferze.
Miejsce składania dokumentów:
Dokumenty aplikacyjne prosimy kierować w formie elektronicznej poprzez poniższy link do dnia 5 sierpnia 2022r.
Jednocześnie uprzejmie informujemy, że skontaktujemy się tylko z wybranymi osobami.
data publikacji: 4 lipca 2022r.