SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ – INSTYTUT MIKROELEKTRONIKI i FOTONIKI
poszukuje
Kandydata na stanowisko
Główny specjalista ds. charakteryzacji elektrycznej
Nr naboru N/23/56
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Rodzaj umowy: Umowa o pracę na czas określony (1 rok)
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Wymiar etatu: 50%
Miejsce pracy: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, ul. Wólczyńska 133, 02-668 Warszawa
Zakres obowiązków:
- Obsługa stanowiska do charakteryzacji elektrycznej materiałów półprzewodnikowych
- Prowadzenie badań naukowych, tworzenie i współtworzenie publikacji naukowych i raportów projektowych, tworzenie i współtworzenie wniosków patentowych, udział w krajowych i międzynarodowych konferencjach naukowych i branżowych
- Dbanie o czystość i porządek w pomieszczeniach laboratoryjnych i biurowych
Wymagania:
- Stopień doktora i 2-letenie doświadczenie sektorze badawczo-rozwojowym albo wykształcenie wyższe magisterskie i 3-letnie doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym, w tym udział w relacji projektów badawczych. Preferowani absolwenci studiów doktorskich w dyscyplinach: Fizyka, Inżynieria Materiałowa lub Elektronika.
- Znajomość obsługi aparatury pomiarowej (m. in. źródła wymuszająco-pomiarowe, mierniki pojemności, kontrolery temperatury) używanej do charakteryzacji parametrów elektrycznych materiałów półprzewodnikowych
- Znajomość obsługi układów kriogenicznych i próżniowych stosowanych w pomiarach elektrycznych materiałów półprzewodnikowych
- Umiejętność określania profilu rozkładu koncentracji nośników ładunku w warstwach epitaksjalnych metodą pojemnościowo-napięciową z wykorzystaniem sondy rtęciowej
- Umiejętność wyznaczania energii aktywacji, przekroju czynnego na wychwyt nośników ładunku oraz koncentracji głębokich centrów defektowych w monokryształach półprzewodników o niskiej rezystywności niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej DLTS
- Umiejętność wyznaczania energii aktywacji, przekroju czynnego na wychwyt nośników ładunku oraz koncentracji głębokich centrów defektowych w monokryształach półprzewodników o wysokiej rezystywności metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
- Dobra znajomość języka angielskiego w mowie i piśmie, mile widziany certyfikat potwierdzający poziom biegłości (B2 lub wyższy)
- Umiejętność organizacji pracy zarówno własnej jak i w zespole; dokładność w wykonywanych obowiązkach, sumienność i samodzielność
Wymagane dokumenty:
- CV
Kandydatom oferujemy:
- Pracę w organizacji badawczej nastawionej na realizację innowacyjnych, prestiżowych projektów badawczo-rozwojowych
- Możliwość zdobycia unikalnego doświadczenia zawodowego
- Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
- Niezbędne narzędzia pracy
- Możliwość skorzystania z atrakcyjnej oferty na opiekę medyczną, pakiet sportowy oraz ubezpieczenie na życie
- Pracę w przyjaznej atmosferze
Miejsce składania dokumentów:
Dokumenty aplikacyjne prosimy kierować w formie elektronicznej poprzez poniższy link do dnia 11 września 2023 r.
Uprzejmie informujemy, że skontaktujemy się tylko z wybranymi kandydatami.
data publikacji: 28.08.2023