SIEĆ BADAWCZA ŁUKASIEWICZ – INSTYTUT MIKROELEKTRONIKI
i FOTONIKI
poszukuje
LAUREATA LUB FINALISTY OLIMPIADY
(fizycznej/technicznej/matematycznej/chemicznej) na stanowisko
Pracownik Obsługi ds. Wsparcia Prac Badawczych – Obszar Przyrządów na Bazie GaN (K/M)
nr naboru N/23/40
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Rodzaj umowy: umowa o pracę
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Czas pracy: min. 4 godz. tygodniowo (do uzgodnienia)
Data zatrudnienia: 1.09.2024 lub inna do uzgodnienia
Forma zatrudnienia: stacjonarna
Miejsce pracy: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Projekt badawczy/Obszar badawczy:
Olimpijczyk będzie realizował zadania związane z opracowaniem technologii wytwarzania tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym lub QST. Np. optymalizacja automatycznej detekcji końca procesu w technologii trawienia plazmowego RIE/ICP (ang. Reactive Ion Etching Inductive Coupled Plasma) lub ALE (ang. Atomic Layer Etching). Zadania obejmować mogą wykonywanie prac eksperymentalnych w laboratorium typu clean-room i/lub analizę danych, np. dopasowywanie parametrów modelu do wyników eksperymentalnych a także modyfikacje i tworzenie modeli teoretycznych do przeprowadzanych procesów. Planowane jest zaangażowanie Olimpijczyka m.in. do prac w ramach projektu pt. ,,GaNLIN – Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych”.
Zakres obowiązków:
- Uczestnictwo w projekcie badawczym ,,GaNLIN – Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych”.
- Wspieranie prac w zakresie objętym projektem badawczym m.in. planowanie i prowadzenie prac eksperymentalnych, analizowanie danych, modyfikowanie modeli teoretycznych
- Prace technologiczne związane z wytwarzaniem tranzystorów, np. obsługa urządzenia do trawienia plazmowego ICP/RIE.
- Analizowanie otrzymanych wyników.
Wymagania:
- Status laureata lub finalisty olimpiady fizycznej, chemicznej, matematycznej lub wiedzy technicznej w latach 2022/2023/2024
- Zainteresowanie fizyką, elektroniką, chemią
- Chęć pracy eksperymentalnej i gotowość do uczenia się nowych technik eksperymentalnych
- Umiejętność analizy danych i formułowania wniosków
- Sumienność i odpowiedzialność
- Komunikatywność
Oferujemy:
- Ciekawe środowisko pracy o profilu naukowo – badawczym
- Możliwości rozwoju zawodowego
- Stabilne zatrudnienie w oparciu o umowę o pracę na czas określony 6 miesięcy z możliwością przedłużenia i rozwoju w naszej organizacji
- Elastyczne dostosowanie wymiaru etatu do możliwości czasowych
- Wsparcie mentora w całym okresie trwania umowy
- Możliwość rozwoju poprzez szkolenia dokształcające, w tym kursy zawodowe, kursy językowe, studia wyższe, studia podyplomowe i doktoranckie
Benefity:
- Pakiety medyczne
- Grupowe ubezpieczenie na życie
- Karta sportowa
- Dodatkowe świadczenia socjalne
- Dofinansowanie wypoczynku
- Świadczenie świąteczne
- Nagrody jubileuszowe
- Dodatkowe dni wolne
- Inicjatywy dobroczynne
Miejsce składania dokumentów:
Dokumenty aplikacyjne prosimy kierować w formie elektronicznej poprzez poniższy link do dnia 31 lipca 2024 r.
data publikacji: 1.07.2024