Oferta – Energoelektronika

Produkty

Materiały termoelektryczne wykorzystywane do produkcji modułów termoelektrycznych, które znajdują zastosowanie w konwersji energii i elektronice.
Materiały typu p i typu n o określonych właściwościach fizyko-chemicznych zarówno do zastosowań technologicznych, jak i naukowych.
Czyste oraz domieszkowane (optymalizowane) materiały z grupy tellurków (Bi2Te3 i Sb2Te3) oraz skutterudytów (CoSb3).

Stale ferrytyczne o składzie Fe-(12-14)Cr-2W-0,3Ti-x%Y2O3 zwane stalami ODS (ang. Oxide Dispersion Strengthened) to materiały konstrukcyjne, które mogą być stosowane w konstrukcjach reaktorów IV Generacji i reaktorach fuzyjnych. Stale ODS ze względu na obecność wydzieleń tlenkowych charakteryzują się wysoką odpornością na defektowanie radiacyjne. Granice wydzieleń działają jako obszary anihilacji defektów punktowych, dzięki czemu niekorzystne efekty jak np. „swelling” (puchnięcie materiału) obserwowane jest przy znacznie wyższych dawkach defektujących.

Materiały kompozytowe na bazie miedzi domieszkowane różnymi formami węgla (diament, grafen, nanorurki węglowe). Kompozyty Cu-C wytwarzane są technikami metalurgii proszków i charakteryzują się wysoką wartością przewodnictwa cieplnego i odpowiednim współczynnikiem rozszerzalności cieplnej. Przeznaczone są na elementy, od których wymaga się dobrego odprowadzania ciepła generowanego podczas pracy z układów elektronicznych.

Kompozytowe materiały na bazie węglików spiekanych domieszkowanych fazą węglową (grafen, diament). Przeznaczone na narzędzia i oprzyrządowanie specjalistyczne do obróbki materiałów supertwardych np. w procesach honowania.

Struktura zrealizowana na podłożu LTCC, stanowiąca układ elektroniczny bez elementów i warstw zagrzebanych. Korzyści płynące z adaptacji układu do technologii LTCC to przede wszystkim miniaturyzacja oraz poprawa trwałości układu poprzez zastosowanie wysoce wytrzymałych fizycznie materiałów podłożowych.

Struktura zrealizowana na podłożu LTCC, stanowiąca układ elekyroniczny z uwzględnieniem wielu warstw, elementów zagrzebanych oraz w razie potrzeby metalizacji pionowej – tzw. via hole. Korzyści płynące z adaptacji układu do technologii LTCC to przede wszystkim miniaturyzacja oraz poprawa trwałości układu poprzez zastosowanie wysoce wytrzymałych fizycznie materiałów podłożowych.

Czujnik pH o liniowości 55mV/pH w zakresie 3-11. Czujnik nie zawiera szkła, co umożliwia jego zastosowanie w sytuacjach, gdzie nie można stosować elektrod szklanych, np. w przemyśle spożywczym. Czujnik umożliwia na przykład pomiar pH w zastosowaniach przemysłowych lub obróbce żywności.

Obudowa do układów pracujących w częstotliwościach mikrofalowych. Materiał obudowy charakteryzuje się niską wartością stałej dielektrycznej oraz niskim współczynnikiem strat dielektrycznych, co skutkuje możliwością stosowania wysokiego zagęszczenia ścieżek przewodzących oraz ograniczeniem przesłuchów między warstwami.

Usługi

Nasze urządzenie SPS charakteryzuje się możliwością prowadzenia procesów w temperaturze do 2200°C, przy ciśnieniu prasowania do 100 MPa, stosując prędkości nagrzewania do 500°C/min, uzyskując materiały o średnicy maksymalnej Ø120mm.

Wykonanie projektu wielowarstwowej struktury LTCC z uwzględnieniem elementów i warstw zagrzebanych. Projekt jest wykonywany z użyciem specjalistycznego oprogramowania HYDE. Korzyści płynące z adaptacji układu do technologii LTCC to miniaturyzacja oraz poprawa trwałości układu poprzez zastosowanie wysoce wytrzymałych mechanicznie materiałów podłożowych.

Opracowanie składu i odlanie folii LTCC na bazie materiału nieorganicznego oraz odpowiednio dobranych składników organicznych (dyspersant, polimer, plastyfikator, rozpuszczalnik). Elastyczna folia LTCC przed wypałem może być poddawana obróbce mającej na celu nadanie jej odpowiedniego kształtu. Folie odlewane są na grubość od kilkunastu do kilkuset mikrometrów. Optymalizacja składu folii ceramicznych oraz parametrów procesu ich wytwarzania.

Wykonanie projektu sita w oparciu o wytyczne zleceniodawcy, a następnie na wykonaniu sita oraz przeprowadzeniu procesu nanoszenia warstw na podłoże (stałe lub elastyczne) metodą sitodruku. Rozdzielczości możliwe do uzyskania: od 50 mikrometrów dla ścieżek przewodzących oraz przerw między nimi.

Obróbka z użyciem obrabiarki laserowej UV OXFORD Lasers. Obróbka może obejmować: drążenie otworów, nacięcia służące późniejszemu przełamaniu struktury lub typowe cięcia podłoża celem nadania mu pożądanego kształtu. Obróbce poddawane są: folia LTCC w stanie surowym lub materiały lite (np. Al2O3). W ramach usługi ustalana jest optymalna wartość mocy wiązki, prędkość i częstotliwość cięcia laserowego. Istnieje możliwość korekty naniesionych uprzednio warstw poprzez proces ablacji (wybierania) laserowego.

Obróbka termiczna w zakresach temperatur od 20 do 1500°C z możliwością doboru szybkości grzania, czasów dojścia, czasu przetrzymania oraz czasu schładzania. W piecach komorowych lub taśmowych.

Mielenie w młynku kulowym z użyciem pojemników oraz kulek agatowych lub cyrkonowych.

Wytwarzanie nowych materiałów dla produkcji folii ceramicznych o zadanych właściwościach takich jak dielektryki, ferroelektryki (również materiały termistorowe, warystorowe), materiały podłożowe o niskiej stałej dielektrycznej, SOFC, termoelektryczne generatory.

Realizacja montażu powierzchniowego w oparciu o dostarczoną dokumentację. Usługa obejmować może również zamówienie podłoży oraz elementów SMT.

Przeprowadzenie procesu lutowania w parach nasyconych z użyciem specjalistycznego pieca. Usługa obejmuje dobór parametrów procesu lutowania w zależności od potrzeb klienta.

Przeprowadzenie procesu lutowania rozpływowego w piecu taśmowym.

Określenie jakości wykonanych połączeń lutowanych obejmujące testy zrywania, analizę mikroskopową, a także interpretacja otrzymanych wyników badań metodą SEM/EDS lub badania RTG.

Doradztwo w obszarze doboru materiałów oraz technik montażu powierzchniowego realizowane w oparciu o wieloletnie doświadczenie i liczne publikacje eksperta.

Wykonywanie tranzystorów, diod i innych struktur testowych według projektu zamawiającego lub w połączeniu z projektowaniem konstrukcji przyrządów z wykorzystaniem modelowania i symulacji w programach typu TCAD oraz projektowania topografii przyrządów w środowisku CAD.

Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych w zakresie niskich (~fA) i wysokich prądów (20 A DC, 50 A impulsowo) oraz napięć do 3 kV w przedziale temperatur od RT do 300°C. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych on-wafer w komorze do badań kriogenicznych w temperaturach od 10 K.

Pomiar on-wafer charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-V) kondensatorów MOS oraz diod w zakresie częstotliwości od 1 kHz (lub niższej w trybie quasi-static) do 1 MHz. Pomiar charakterystyk pojemnościowo-napięciowych tranzystorów CRSS, CISS, COSS.