Oferta – Charakteryzacja materiałów i przyrządów
Charakteryzacja spektroskopowa proszków i materiałów luminescencyjnych: wyznaczanie widm wzbudzeniowych, emisyjnych i pomiary czasów zaniku fluorescencji. Pomiary są wykonywane z wykorzystaniem lasera przestrajalnego OPOTEK RADIANT HE 355 LD EUV (dł. impulsu 6ns, zakres generacji promieniowania 195nm-2,5μm) oraz diod laserowych generujących promieniowanie m.in. 358 nm oraz 978,6 nm. Detekcja w zakresie UV-ViS-NIR.
Kontrola technologii wytwarzania i badanie wytrzymałości na promieniowanie laserowe elementów optycznych np. cienkich warstw, soczewek oraz materiałów optycznych np. luminoforów i ceramiki przezroczystej. Usługa wykonywana na stanowisku do badań progu zniszczenia laserowego zawierającego m.in. laser przestrajalny OPOTEK RADIANT HE 355 LD EUV (dł. impulsu 6ns, zakres generacji promieniowania 195nm-2,5μm) z tłumikiem Standa 8CMA06-13/05, profilometrem Thorlabs BC106N-VIS/M, mikroskopem optycznym. Procedura badawcza uwzględnia wpływ rozkładu przestrzennego i czasowego wiązki laserowej o dużej gęstości mocy, stabilność energetyczną lasera oraz dystorsję wprowadzaną przez tłumik pryzmatyczny w funkcji długości fali generowanego promieniowania.
Badania materiałów fotonicznych o właściwościach nieliniowych absorberów (tzw. „wolnych” i „szybkich”) w postaci monokryształów, ceramik, grafenu lub tlenku grafenu. Badane materiały mogą być wykorzystywane jako elementy składowe laserów z pasywną modulacją dobroci rezonatora (Q-switch) np. w dalmierzach laserowych lub lidarach. Pomiar charakterystyk transmitancji absorberów w funkcji gęstości mocy / energii promieniowania laserowego, ilościowe wyznaczanie parametrów np. przekroju czynnego na absorpcję GSA i ESA w przypadku wolnych absorberów na podstawie danych pomiarowych.
*W modelach opisujących dynamikę prześwietlania nieliniowych absorberów, gdy t<<tn, mówimy o tzw. szybkich absorberach i przybliżeniu intensywnościowym, oraz gdy t>>tn, mówimy o wolnych absorberach, dla których stosuje się przybliżenie energetyczne, gdzie t – czas relaksacji absorbera, tn – czas trwania impulsu diagnostycznego.
Laserowa Metoda Impulsowa (LFA) umożliwia wyznaczenie właściwości cieplnych (dyfuzyjności / przewodności cieplnej) dla materiałów objętościowych w szerokim zakresie temperatur (RT-1100ºC). Urządzenie LFA 457 pozwala na pomiar dyfuzyjności cieplnej w zakresie od 0,01-1000 mm/s2, a przewodnictwa cieplnego w zakresie 0,01 W/mK do 2000 W/mK. W metodzie impulsowej analizowana próbka jest wygrzewana izotermicznie w komorze próżniowej pieca do zadanej temperatury. Następnie krótki impuls laserowy uderza jedną ze stron próbki, skutkiem czego powstaje gradient temperatury (źródło ciepła), którego wartość w funkcji czasu mierzona jest przez detektor podczerwieni na przeciwległej powierzchni próbki.
Geometria próbek: ∅10 mm, ∅12.7 mm, ∅25.4 mm, ☐8 mm x 8 mm,
☐10 mm x 10 mm, grubość: 0.1 mm to 3 mm.
Urządzenie do jednoczesnej analizy termicznej STA 449 F5 Jupiter firmy Netzsch pozwala na jednoczesną analizę termiczną różnorodnych materiałów w szerokim zakresie temperatur (RT-1600ºC). Pomiar dostarcza informacji na temat zachowania się materiałów w funkcji temperatury, poprzez wyznaczenie krzywych DSC, DTA oraz TG. Używając materiału referencyjnego, możliwe jest wyznaczenie wartości ciepła właściwego (Cp). Główne informacje, które można uzyskać z pomiarów DSC/TG to charakterystyczne temperatury (topnienie, krystalizacja, przejścia polimorficzne, proces zeszklenia) wartości energetyczne (entalpia) przemian fazowych procesów topnienia i krystalizacji, dekompozycja, stabilność termiczna, ubytek / przyrost masy oraz ciepło właściwe.
Pomiary mogą być wykonywane w atmosferę ochronnej (argon), w powietrzu oraz próżni a zakres szybkości grzania wynosi 0,001-50 K/min.
Geometria próbek: ∅4 mm, ☐4 mm x 4 mm, grubość: 0.5 mm to 2 mm.
Dilatometr DIL 402 Select Expedis firmy Netzsch umożliwia analizę zjawiska związanych ze zmianą długości różnych materiałów (metali, ceramiki, polimerów, kompozytów), ujawniając w ten sposób informacje dotyczące zmian ich właściwości wraz ze zmiana temperatury RT-1600°C. Urządzenie zapewnia pomiar i kontrolę aktualnej wartości siły docisku w zakresie 0.01-3.00 N oraz jej stałość podczas pomiaru. Na podstawie pomiarów zmiany wydłużenia próbki określana jest wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej. Geometria próbek: walce ∅2-10 mm lub prostopadłościany o podstawie ☐2 mm x 2 mm, długość 10-15 mm.
Urządzenie SZOKTERM pozwala na przeprowadzenie zautomatyzowanych testów odporności materiału na cykliczny szok termiczny. Testy prowadzone są poprzez poddanie materiału określonej liczbie cykli grzania do określonej temperatury (max. 800°C) oraz chłodzenia (w wodzie, oleju lub swobodnie – w powietrzu). Przeprowadzone cykle zmęczeniowe pozwalają m.in. na zbadanie stopnia degradacji materiału (innymi technikami badawczymi), co dostarcza cennych informacji na temat odporności zmęczeniowej materiału w czasie.
Usługa polega na wykonywaniu kompleksowych pomiarów współczynnika Seebecka i przewodności elektrycznej w funkcji temperatury.
Aparatura posiada unikatowy charakter konstrukcji i jest przeznaczona do pomiaru właściwości materiałów termoelektrycznych z wykorzystaniem metody 4-sondowej.
Usługę charakteryzacji materiałów można przeprowadzić do 550°C. Do ochrony próbki można zastosować próżnię lub obojętną atmosferę ochronną (Ar).
Wymagania dotyczące próbki pomiarowej (dopuszczalne są 2 rodzaje próbek)
Pręty: D x H; Średnica: 5-13mm; Wysokość: 6-20mm
Prostopadłościany: A x A x H; Odp.: 5-10 mm; Wysokość: 6-20mm
Trybotester wysokotemperaturowy HTT 1000 firmy Anton Paar służy do pomiarów właściwości trybologicznych w temperaturze RT – 1000°C. Badania prowadzone są w układzie Pin-on-Disk/Ball-on-Disk, co pozwala na wykonywanie pomiarów w ciągłym ruchu obrotowym, jak i oscylacyjnym ruchu po okręgu. Urządzenie umożliwia pomiar w czasie rzeczywistym siły tarcia, temperatury, głębokości wytarcia wraz z opcją wizualizacji wybranych parametrów na wykresie.
Pomiary mogą być wykonywane ze zmianą prędkości obrotowej w zakresie 0,3-1500 obr/min oraz kontrolowaną wartością obciążenia od 1N do 60 N.
Urządzenie przeznaczone jest do prowadzenia testów tribologicznych dla szerokiej grupy materiałów zaawansowanych (metale i stopy, materiały ceramiczne i kompozytowe). Geometria próbek: od ∅15 do ∅50mm.
Jesteśmy w stanie badać próbki, których kształt wpisuje się w obrys koła o średnicy 25 lub 30 mm. Próbki mogą być też kwadratowe lub prostokątne.
Bombardowanie próbki wiązką jonów pierwotnych prowadzi do rozpylenia i częściowej jonizacji materiału. Analiza widm masowych dostarcza informację o składzie pierwiastkowym i/lub izotopowym próbki. Technika SIMS charakteryzuje się wysoką czułością (wykrywalność na poziomie 1ppb – 1ppm dla większości pierwiastków). Urządzenie CAMECA IMS SC Ultra umożliwia badanie z subnanometrową, a nawet atomową rozdzielczością wgłębną, co umożliwia charakteryzację ultracienkich warstw, takich jak materiały dwuwymiarowe czy studnie kwantowe.
Wiązka wysokoenergetycznych elektronów, przyspieszanych napięciem 200 kV, wykorzystywana jest do prześwietlania cienkiego preparatu wykonanego z badanego materiału. Na skutek interakcji z próbką formowane są obrazy elektronomikroskopowe umożliwiające obrazowanie wewnętrznej struktury materiału przy powiększeniach do 1 500 000 x. Zastosowanie dodatkowych metod analitycznych, takich jak dyfrakcja elektronowa (SAED, NBD) czy spektroskopia emitowanego charakterystycznego promieniowania rentgenowskiego (EDS) pozwala na identyfikację struktur krystalicznych oraz składu chemicznego wraz z określeniem ich przestrzennego rozmieszczenia w badanym obszarze próbki (STEM EDS, HAADF). Uzyskiwane obrazy wysokorozdzielcze (HRTEM) pozwalają uwidocznić periodyczność sieci krystalicznej, strukturę oraz jakość badanych międzypowierzchni. Usługa badawcza obejmuje przygotowanie odpowiedniego preparatu.
Bombardowanie próbki wiązką jonów pierwotnych. Obraz próbki wytwarzany jest poprzez skanowanie powierzchni wiązką elektronów, co umożliwia powiększenie badanego obiektu nawet do 200 000 razy. Umożliwia ogląd powierzchni elementów dowolnych materiałów stałych (np. takich jak metale, tworzywa, szkła), ocenę stanu powierzchni, uszkodzeń, defektów, nierówności z dokładnością do kilku nanometrów na próbkach o rozmiarach do ok. 100x100mm. Możliwość utworzenia obrazów mikroskopowych ujawniających zmiany składu chemicznego na powierzchni np. obecność wtrąceń, ultracienkich warstw, reprezentowane w skali szarości oraz określenie składu chemicznego próbek stałych, struktury lub odmian alotropowych materiałów. Dostępne urządzenia: Zeiss Auriga, Hitachi SU8230, FEI Helios 600 Dual Beam.
Maksymalne powiększenia 2 mln razy. Napięcie przyspieszające regulowane w zakresie od 20V do 30 kV, zdolność rozdzielcza 0.7 nm dla napięcia 15 kV oraz 1.2 nm dla 1 kV. Maksymalna średnica próbek 200 mm, grubość 80 mm. Mikroskop wyposażony jest w tryb obrazowania w zmiennej próżni oraz w detektor do analizy EDX.
W metodzie wykorzystuje się zjawisko uginania fal elektromagnetycznych na strukturach periodycznych, czyli kryształach. Umożliwia jakościową oraz ilościową analizę fazową materiałów polikrystalicznych, udokładnianie parametrów strukturalnych metodą Rietvelda, ocena wielkości krystalitów, mikronaprężeń i naprężeń szczątkowych. Urządzenie Rigaku SmartLab 3kW umożliwia wykonywanie badań czułych powierzchniowo (tryb GIXRD) oraz pomiarów wysokotemperaturowych in-situ do temperatury 1100oC.
Jest szybką i nieniszczącą metodą wyznaczania składu pierwiastkowego próbki. W metodzie wykorzystuje się fakt, że każdy pierwiastek naświetlony promieniowaniem rentgenowskim emituje charakterystyczne linie promieniowania, dzięki czemu możliwa jest jego identyfikacja. Dostępne urządzenie: Skyray Instruments EDX 3600H.
Nieniszcząca metoda pozwalająca na uzyskanie w pełni trójwymiarowego odwzorowania badanej próbki. Podczas badania wykonuje się serię prześwietleń rentgenowskich materiału pod różnymi kątami, co umożliwia rekonstrukcję obrazu 3D. Nanotomograf rentgenowski EasyTom 160 firmy RX Solutions można wykorzystać do wizualizacji rzeczywistej struktury materiałów kompozytowych, mikroporowatych o rozmiarach submikrometrowych wydzieleni, a także analizę ich rozkładów wielkości oraz udziału poszczególnych frakcji. Możliwe jest badanie próbek o znacznych rozmiarach, tj. kilku, a nawet kilkudziesięciu centymetrów.
Metoda spektroskopii mössbauerowskiej dla izotopu 57Fe umożliwia jakościową i ilościową analizę fazową oraz wyznaczanie stopnia utlenienia i stanu magnetycznego żelaza w materiałach zawierających naturalne żelazo lub specjalnie wzbogaconych w izotop 57Fe.
Żelazo jest jednym z najczęściej występujących pierwiastków na Ziemi, dlatego też metodą tą można badać różnorodne materiały zawierające różne tlenki żelaza (lub tlenki domieszkowane żelazem) i inne jego związki, jak również stale i inne stopy żelaza (amorficzne i krystaliczne), minerały i meteoryty.
Metoda umożliwia wykrycie obecności żelaza oraz określenie jego postaci, np. czy jest obecny w związku chemicznym, czy w roztworze.
Spektroskopię mössbauerowską 57Fe cechuje wysoka czułość na lokalne otoczenie jąder żelaza (obecność i rozmieszczenie innych atomów), przez co doskonale nadaje się do badania subtelnych zmian uporządkowania atomowego w materiałach zawierających żelazo w wyniku modyfikacji ich składu chemicznego lub metody otrzymywania, jak również wskutek obróbki cieplnej, mechanicznej lub innej. Z tego powodu metoda ta jest bardzo przydatna przy opracowywaniu lub modyfikacji procesów technologicznych do wytwarzania materiałów o wymaganej strukturze i właściwościach fizyko-chemicznych.
Metoda spektroskopii mössbauerowskiej jest nieniszcząca, jednak konieczne może być w niektórych przypadkach odpowiednie sproszkowanie materiału. Ograniczenia pomiarowe związane są z grubością próbki; w przypadku materiałów metalicznych można mierzyć cienką folię do grubości ok. 60 mikrometrów. Pomiar w geometrii transmisyjnej umożliwia uzyskanie uśrednionej informacji z całej objętości próbki. Dla litych próbek możliwe jest wykonanie pomiaru z warstwy powierzchniowej materiału o grubości do ok. 200 nm przy zastosowaniu metody spektroskopii mössbauerowskiej elektronów konwersji (CEMS – conversion electron Mössbauer spectroscopy).
Spektroskopia Ramana wykorzystuje zjawisko nieelastycznego rozpraszania fotonów i polega na analizie drgań cząstek w wyniku oświetlenia badanego materiału światłem laserowym o zadanej długości fali. Na skutek zmiany polaryzowalności cząstek na mierzonym widmie Ramana pojawiają się charakterystyczne piki, których położenie na osi częstotliwości, szerokość połówkowa oraz intensywność dostarczają istotnych informacji na temat badanego materiału. Wśród tych parametrów wymienić należy: skład chemiczny, jakość krystaliczną, naprężenia, domieszkowanie. Jest to metoda bezinwazyjna oraz nieniszcząca i pozwala na badanie próbek w różnym stanie skupienia (ciecze, gazy, ciała stałe). Pomiary realizowane są na spektrometrze MonoVista SpectraPro (GmbH, Germany) wyposażonym w dwa źródła laserowe (VIS – 488 nm oraz DUV – 266 nm), kamery CCD chłodzone ciekłym azotem, mikroskop konfokalny z obiektywami o kilku powiększeniach (od 20x do 100x). Stanowisko ramanowskie posiada również automatyczny stolik pozwalający na skanowanie powierzchni próbki oraz określenie profilu wgłębnego. Można prowadzić pomiary w zakresie temperatur od -196 do 600°C.
Technika polega na badaniu widm absorpcyjnych materiału naświetlanego falami podczerwonymi o zmiennej energii. Ponieważ każde wiązanie chemiczne może pochłaniać fale tylko o wybranej energii, technika ta umożliwia identyfikacje chemiczną badanego materiału. Spektrofotometr Vertex 80v firmy Bruker umożliwia pomiary składu materiałów, analizę obecności domieszek, określanie grubości warstw, jak również pomiary transmisji, absorpcji, odbicia materiałów na okienka optyczne, filtrów czy luster.
Elipsometria jest szybką i nieniszczącą metodą charakteryzacji, która opiera się na wyznaczaniu stanu polaryzacji światła odbijanego przez powierzchnię badanego materiału. Metoda ta może być zastosowana między innymi dla wielowarstwowych hetrostruktur półprzewodnikowych, gdzie po zastosowaniu odpowiednich modeli elipsometrycznych określana może być grubość oraz skład chemiczny każdej warstwy. W wypadku analizy nano-krystalicznych warstw dielektryków i warstw metalicznych określane mogą być również wielkości ziaren. Możliwa jest także charakteryzacja widmowa struktury przerwy zabronionej, a w szczególności określenie punktów krytycznych. Wszystkie rodzaje analizy wykonywać możemy w zakresie widmowym UV-IR, a także w szczególnym zakresie ultrafioletu próżniowego dla długości fali światła 150-250nm, co jest unikatową cechą naszej aparatury (Horiba UVISEL2-DUV).
Zjawiska transferu ładunku są jednym z głównych czynników wpływających na parametry elektryczne i niezawodność przyrządów elektronicznych. Oferujemy pomiary i analizę rozkładów energetycznych gęstości i przekroju czynnego pułapek ładunku w przyrządach, stosując metodę wieloparametrycznej spektroskopii admitancyjnej (MPAS). Technika MPAS polega na analizie graficznej dyspersji konduktancji charakteryzowanego przyrządu, bezpośrednio związanej z gęstością pułapek, jako funkcji potencjału powierzchniowego wywołanego przyłożonym napięciem polaryzacji DC oraz odwrotności częstości kątowej sygnału napięciowego AC. Przy pomocy metody MPAS można szybko ocenić przekrój czynny pułapek oraz wnioskować o mechanizmach samego pułapkowania.
Wykonujemy pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych oraz pojemnościowo-napięciowych tranzystorów, diod, kondensatorów oraz innych elementów biernych. Dysponujemy możliwością przeprowadzenia automatycznego pomiaru wielu tysięcy struktur półprzewodnikowych bezpośrednio na płytce (on wafer). Półautomatyczny prober ostrzowy Cascade Summit 12000 AP wyposażony jest w analizator przyrządów półprzewodnikowych Agilent B150, stolik 8″ z próżnią, przesuw X,Y,Z, możliwość grzania do 200°C oraz chłodzenia do -45°C w osłonie azotu. W ofercie mamy również pomiary z wykorzystaniem wysokonapięciowego probera ostrzowego Cascade Tesla połączonego z analizatorem przyrządów półprzewodnikowych Keysight B1505. Zestaw umożliwia stosowanie napięć do 3 kV, maksymalny prąd ciągły 1A, maksymalny prąd impulsowy 20A oraz maksymalną moc 200W.
Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych w zakresie niskich (~fA) i wysokich prądów (20 A DC, 50 A impulsowo) oraz napięć do 3 kV w przedziale temperatur od RT do 300°C. Pomiar charakterystyk prądowo-napięciowych on-wafer w komorze do badań kriogenicznych w temperaturach od 10 K.
Pomiar on-wafer charakterystyk pojemnościowo-napięciowych (C-V) kondensatorów MOS oraz diod w zakresie częstotliwości od 1 kHz (lub niższej w trybie quasi-static) do 1 MHz. Pomiar charakterystyk pojemnościowo-napięciowych tranzystorów CRSS, CISS, COSS.
Pomiar charakterystyk pojemnościowo-napięciowych tranzystorów CRSS, CISS, COSS w obudowach TO-22O i TO-247.
Tester trwałości (lub rama trwałości) pozwala na długotrwałe obciążanie tranzystorów lub diod prądem, napięciem, podwyższoną temperaturą, cyklicznym włączaniem / wyłączaniem. Maksymalnie w jednym teście możliwe jest obciążenie 20 sztuk podzespołów. Tranzystory są umieszczone w gniazdach i mogą być dociśnięte do wspólnego radiatora / grzejnika połączonego z masą lub być chłodzone każdy osobno indywidualnym małym radiatorem. Preferowana jest obudowa TO-220 lub TO-247.
Umożliwia modyfikację materiału poprzez wprowadzenie w jego strukturę jonów innych pierwiastków. Poprzez dobór dawki oraz energii jonów można precyzyjnie sterować zarówno poziomem, jak i zasięgiem domieszkowania materiałów półprzewodnikowych. Może być również wykorzystywany do zmiany właściwości materiałów polimerowych. Dostępne urządzenie: BALZERS MPB-202RP.
Piec RTP Zenith-100 pozwala na przeprowadzenie procesów wygrzewania w temperaturach do 2000°C. Jego podstawowym zastosowaniem są procesy aktywacji implantowanych domieszek w kryształach węglika krzemu (SiC). Aby zachować wysoką czystość, w piecu nie są wygrzewane inne materiały. Ponadto, wykorzystując piec dyfuzyjny rurowy, możemy wykonywać procesy utleniania SiC (oraz Si) w temperaturze 1150°C, jak również procesy utleniania / usuwania ochronnej warstwy grafitu.
Zastosowanie zogniskowanej wiązki jonów galu umożliwia lokalne modyfikowanie powierzchni w skali submikrometrowej. Poprzez skanowanie powierzchni materiału zadane wzory mogą być zarówno trawione, jak i nanoszone poprzez osadzanie z gazowych prekursorów materiału przewodzącego lub izolującego (Pt, W, SiO2). W połączeniu z mikromanipulatorem metoda pozwala na wycinanie, przenoszenie oraz przymocowywanie fragmentów materiału. Technika ta świetnie nadaje się do tworzenia i testowania nowych rozwiązań konstrukcyjnych dla jednostkowych przyrządów (lub produkcji małoseryjnej) na specjalne zamówienie klienta, w szczególności o bardzo małych krytycznych rozmiarach (w skali dziesiątek i setek nanometrów). Ponadto oferujemy diagnostykę wytworzonych materiałów, struktur i przyrządów poprzez wykonywanie przekrojów oraz obrazowanie w trybach SIM (skanigowa mikroskopia jonowa) oraz SEM (skaningowa mikroskopia elektronowa). Dysponujemy możliwością chłodzenia próbek w trakcie prac do niskich temperatur (~80 K) oraz możliwością operowania zarówno na małych próbkach, jak i 6-calowych płytkach.
Metody fotoelektryczne pozwalają na określanie istotnych parametrów elektrycznych struktur testowych MOS, m.in. wysokości barier potencjałów na powierzchniach granicznych bramka/dielektryk i półprzewodnik/dielektryk, pracy wyjścia z materiału bramki, efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów. Techniki te polegają na jednoczesnej polaryzacji struktury zadanym napięciem i oświetleniu jej modulowanym światłem z szerokiego zakresu długości fali (energii fotonów). Odpowiedź struktury jest mierzona w układzie zewnętrznym. Pomiary wykonywane są na unikatowym stanowisku WSBF (wielozadaniowy system badań fotoelektrycznych) wykonanym według naszego projektu i wyposażonym w szereg wysokiej klasy urządzeń pomiarowych. Opracowana w naszym Instytucie fotoelektryczna metoda określania efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów jest najdokładniejszą ze znanych metod określania tego parametru, a jej dokładność jest na poziomie ± 10 mV. Wykorzystanie tej oraz innych metod elektrycznych i fotoelektrycznych (w tym określenie napięcia progowego tranzystora MOS) realizowanych przy użyciu systemu WSBF pozwala na kompleksową charakteryzację struktur typu MOS. Efektem tych badań może być określenie pełnego schematu pasmowego badanej struktury testowej.
Pomiary realizowane na specjalistycznym stanowisku pomiarowym zawierającym: osiemnaście modułów fotowoltaicznych, ogniwa paliwowe DMFC EFOY PRO 1600, symulatory modułów fotowoltaicznych typu E4350B, 12 akumulatorów żelowych typu MSJ 1000, regulatora ładowania TS-MPPT-60, ociążenie elektroniczne o mocy 600 W DC typu BK 8510, multimetr cyfrowy Keithley 2700 o rozdzielczości 6 1/2 cyfry, wyposażony w uniwersalną 20-kanałową kartę multipleksera typu Keithley 7700.
Symulacja modułów fotowoltaicznych z uwzględnieniem dostarczonych zmiennych. Działanie przeprowadzone z użyciem urządzenia AGILENT – E4350B.
W przypadku prowadzenia badań i eksperymentów, niezależnie od warunków pogodowych, system może być zasilany z trzech symulatorów modułów
fotowoltaicznych typu E4350B wspomaganych oprogramowaniem np. Solar Design Studio V6.0.
Dostarczone przez producenta oraz opracowane w Łukasiewicz – IMiF oprogramowanie umożliwia generowanie i wizualizacje charakterystyk wyjściowych większości komercyjnych modułów fotowoltaicznych.
Usługa polega na wykonaniu frezowania z użyciem programowalnego urządzenia do frezowania obwodów drukowanych, ścieżek i kształtów. Urządzenie: LPKF 93S.
Usługa realizowana w oparciu o urządzenie BK Precision 8510 umożliwia zaprogramowanie obciążenia elektronicznego dla dostarczonego układu. Przy szybkich, przejściowych prędkościach pracy do 25 kHz i wysokiej rozdzielczości i dokładności pomiarów 16-bitowych prąd stały może być wykorzystywany do testowania i oceny różnych źródeł prądu stałego, takich jak zasilacze prądu stałego, konwertery DC-DC, akumulatory, ładowarki akumulatorów i macierze fotoelektryczne. Mogą one działać w trybie stałego prądu (CC), stałego napięcia (CV), stałej oporności (CR) i stałej mocy (CW). Urządzenie zapewnia elastyczne możliwości wyzwalania, analogowe sterowanie prądem i monitorowanie oraz standardowe interfejsy USB (zgodne z USBTMC), GPIB lub RS-232 do zdalnej komunikacji.
Pomiar elektrochemicznej spektoskopii impedancyjnej EIS dla ogniw. Pomiar realizowany z użyciem urządzenia: ANALOG DEVICES CN0510 DEMO BOARD 2. Parametry pomiaru: Parametry pomiaru: Z|, |Y|, Q, Rp, Rs(ESR), G, X, B, T, Ls, Lp, Cs, Cp, D (tan d)
Częstotliwość pomiaru: 100 kHz do 120 MHz (w krokach 100 Hz do 100 kHz)
Impedancja wyjściowa: 50 ±10 omów (przy 100 kHz).
Pomiary przerowadzane na stanowisku pomiarowo-badawczym przeznaczonym do prac związanych z selekcją ogniw, modułów metodami tradycyjnymi. Pomiary służą do badania systemów BMS oraz testowania magazynów energii. Urządzenie: multimetr 6,5 cyfry typu Keithley model 2700, wyposażony w dwa moduły dwudziestokanałowego multipleksera Keithley model 7700 oraz boczniki amperomierza Keithley model 1651 pozwalające na pomiary prądów do 50 A., programowalny zasilacz DC typu ARRAY model 3664 A, pozwalający na uzyskanie napięć ładowania w zakresie 0 – 120 V i prądów 0 – 4,2 A. obciążenie elektroniczne BK PRECISION model 8510 o mocy maksymalnej 600.
Pomiary napięcia elektrycznego przy bardzo małym natężeniu prądu elektrycznego. Pomiary z użyciem Elektrometru KEITHLEY 6517: Elektrometr / miernik wysokiej rezystancji 5½-cyfrowy. Zakres pomiaru prądu: 1fA – 20mA
Impedancja wejściowa: 200Tohm
Prąd polaryzacji: <3fA
Do 425 odczytów/s
Szum p-p: 0.75fA
Wbudowane źródło napięcia: ±1kV
Pomiary napięcia elektrycznego przy bardzo małym natężeniu prądu elektrycznego. Pomiary z użyciem Elektrometru KEITHLEY 6517B Elektrometr / miernik wysokiej rezystancji 5½-cyfrowy Zakres pomiaru prądu: 1fA – 20mA
Impedancja wejściowa: 200Tohm
Prąd polaryzacji: <3fA Do 425 odczytów/s Szum p-p: 0.75fA Wbudowane źródło napięcia: ±1kV
+/- (15% odczytu + 10 cts), <500V Zakres napięcia: 50V do 1000V DC Dokładność: +/- (1% od ustawienia +5V)
Dokładność: +/- (0,25% + 0,02 Hz)
Analiza z użyciem przyrządu do pomiaru natężenia światła Tektronix J18. Parametry urządzenia pomiarowego: Głowica Chromatyczności J1810
Pomiary kolorów w czasie rzeczywistym
Pomiar chromatyczności i balansu bieli
Temperatura barwowa źródeł światła
Głowica Luminancji J1803
Pomiar luminancji, w kandelach/m2 (nitach) lub stoplamertach
0,3 do 300.000 kandeli/m2 (Nit)
0 .001 do 0 .999 x,y i u’,v’ 0 .01* 1 do 5.000 luksów
(IM/M2) 0.1 do 100.000 lambda
Pomiary z użyciem modułu Agilent HP 16454A: Przystawka do dokładnych pomiarów przepuszczalności materiałów magnetycznych w kształcie toroidalnym.
Częstotliwość:
1 kHz do 1 GHz
Wielkość próbki (tylko toroidy):
wysokość: ≤ 8,5 mm
średnica wewnętrzna: ≥ 3,1 mm
średnica zewnętrzna: ≤ 20 mm
Pomiary z użyciem woltomierza fazoczułego: Stanford Research Systems SR 830 DSP Lock-in Ampilfier. Zakres od 1 MHz do 102,4 kHz
>100 dB rezerwa dynamiczna
Stabilność 5 ppm/°C
Rozdzielczość fazy 0,01 stopnia
Stałe czasowe od 10 µs do 3 ks
(do 24 dB/okt. rolloff)
Automatyczne wzmocnienie, faza, rezerwa i przesunięcie
Źródło odniesienia
Interfejsy GPIB i RS-232
Źródło mierzące (SMU – Source Measure Unit) łączy w sobie funkcje źródła prądowego, napięciowego, miernika prądu, miernika napięcia i omomierza z możliwością łatwego przełączania między tymi różnymi funkcjami w jednym instrumencie. Zakres programowania prądu: 1,000000 nA do 10,000000A
Zakres programowania napięcia: 200mV do 200V
Pomiar mocy, napięcia, prądu, kąta fazowego, urządzenie HA 1600
Pomiary analizatorem widma promieniowania elektromagnetycznego MESSTEC UCR 3000 M. Zakres częstotliwości 9 kHz…3 GHz Regulowana rozdzielczość częstotliwości 10 Hz, 100 Hz, 1 kHz Odchylenie częstotliwości 25 ppm Zakres pomiarowy napięcia-20 do +120 dBuV
Pomiary z użyciem urządzenia ESD Symulator, EMTEST DITO. Parametry testu:
Tryb CD 500V – 10000V +/-5%
Tryb AD 500V – 16500V +/-5%
Rozdzielczość 100 V kroki
Polaryzacja sygnału testowego dodatnia, ujemna
Badania odporności na impulsy elektryczności statycznej ESD
Zakres i metodyka zgodne z PN-EN 61000-4-2
Pomiary sondą absorpcyjną Luthi Elektronik Feimachanik MDS 21; Zakres częstotliwości: 30 MHz do 1000 MHz
Maksymalna średnica kabla: 20 mm
Pomiary wykonane z użyciem sondy pola magnetycznego EMTEST MS100; rozmiar sondy 1m x1m, przeznaczona jest do wytwarzania pól magnetycznych
Współczynnik sondy: 0,91/m
Prąd nominalny: 8/20µs prąd impulsowy do 2000A, 50/60Hz prąd ac, ciągły 100A, krótki czas 3s 1000A
Złącza: laboratoryjne wtyki bezpieczne na prąd impulsowy 8/20µs, laboratoryjne wtyki bezpieczne na prądy przemienne do 30A, wtyki wysokoprądowe na ciągły prąd przemienny >30A i krótkotrwałe prądy do 1000A
Pomiary z użyciem urządzenia EMTEST UCS 500M4 – Ultra Compact Symulator. UCS 500M4 to ultrakompaktowy symulator, który testuje zgodnie ze specyfikacjami IEC i Wspólnoty Europejskiej pod kątem odporności na udar – SURGE oraz odporności na serię szybkich elektrycznych zakłóceń impulsowych – BURST.
Sterowany autotransformator MV2616 pozwala realizować badania odporności na zapady napięcia i krótkie przerwy
przepięć, spadków napięcia, pól magnetycznych oraz wyładowań powietrznych i kontaktowych ESD. UCS 500M4 testuje do poziomu 4400V. Zawiera wbudowaną sieć CDN, aby dostosować wymagania dotyczące zasilania EUT do 250 woltów i 16 amperów.
Test wg: EN/IEC 61000-4-4 EN 61000-6-1, -6-2
Pomiary kompatybilności elektromagnetycznej z użyciem urządzenia EMTEST UCS 200M Parametry urządzenia: Wbudowany moduł generatora EFT/Burst
Wbudowany moduł generatora Micropulse (ISO 7637, JASO, SAE i NISSAN)
Wbudowana sieć sprzęgająca 80V, do 200A
Wbudowany przełącznik baterii
Zabezpieczenie nadprądowe
Magistrala USB i GPIB
Testy temperaturowe -60 + 180 oC w urządzeniu HERAEUS-VÖTSCH VMT-07/64 2, testy klimatyczne -60 + 180 oC, wilgotność 10% do 95% R.H. w zakresie temperatur +10 do 89,5ºC w urządzeniu HERAEUS VÖTSCH VLK-07/ 90
Narażenia mechaniczne wibracjami (przebieg sinus i RANDOM) oraz udarami mechanicznymi. Zakres częstotliwości 10 – 5000 Hz
Maks. przemieszczenie Szczyt-Szczyt 25,4 mm
Maks. prędkość sinus/losowy/wstrząs 1,5 m/s
Maks. przyspieszenie sinus 70 g
Maks. Masa elementu badanego 10 kg
Urządzenie: TRAvib TV 5220
Testy z użyciem stanowiska do szybkich testów temperaturowych: (a) HERAEUS VÖTSCH + (b) VMS 2/08/20/64 VMT-07/64. Możliwe narażenia: VMS – szoki termiczne -55 – 180ºC VMT – testy temperaturowe -60 + 180 oC
Poddawanie próbek cyklicznym szokom termicznym -55 – 180ºC; Urządzenie: HERAEUS VÖTSCH VMS 2/08/20/64
Pomiar parametrów macierzy rozproszenia S tranzystorów mikrofalowych dla częstotliwości do 50 GHz dla różnych punktów pracy przyrządu (maksymalny prąd wyjściowy 0.4 A, napięcie zasilania VDS do ±200V)