Celem projektu jest opracowanie skalowalnej technologii wytwarzania supersieci I i II rodzaju GaSb/AlSb, InAs/AlSb i InAs/GaSb o długofalowej krawędzi absorpcji z zakresu krótko- (SWIR, 1,5 – 3 μm), średnio- (MWIR, 3 – 5 μm), długofalowej (LWIR, 8 – 14 μm) i dalekiej podczerwieni (VLWIR, >14 μm). Produktem projektu będą skalowalne heterostruktury fotoniczne mające zastosowanie w konstrukcji przyrządów do detekcji i emisji światła z zakresu IR, wykonane zgodnie z wymogami użytkownika końcowego.

W celu osiągnięcia założeń projektu został on podzielony na dwie fazy, badawczą i przygotowania do wdrożenia. Faza badawcza składa się z dziewięciu zadań, z których osiem dotyczy badań przemysłowych skoncentrowanych na rozwoju technologii epitaksji i charakteryzacji heterostruktur do poziomu TRL VI. W ramach zadania nr 9 prowadzone będą prace rozwojowe ukierunkowane na zapewnienie powtarzalności technologii wzrostu, co pozwoli na podniesienie poziomu gotowości technologicznej do TRL VII i umożliwi wdrożenie uzyskanych wyników. W fazie przygotowania do wdrożenia przedsiębiorstwo dokona analizy rynku i przeprowadzi czynności przedwdrożeniowe, które ułatwią wprowadzenie rezultatów projektu do działalności gospodarczej.

Supersieci oraz złożone heterostruktury przyrządowe, które będą mogły być wytworzone z wykorzystaniem opracowanej w ramach projektu technologii będą skierowane do małych i średnich podmiotów o wyspecjalizowanym charakterze produkcyjnym. Tego rodzaju niszowe produkty odznaczają się wysokimi kosztami wynikającymi w dużej mierze z dostępności wysokich technologii (Hi-Tech) oraz kapitału ludzkiego o interdyscyplinarnej wiedzy i szerokim doświadczeniu. Dodatkowym efektem wprowadzenia na rynek rozwiązań wypracowanych w ramach projektu będzie jego stymulacja zarówno z punktu widzenia cen obecnych produktów, jak i kreowania przestrzeni dla powstawania nowych podmiotów i zastosowań.