Już jutro dr Ewa Dumiszewska opowie studentom PW o epitaksji MOCVD na przykładzie azotku boru (BN) i innych materiałów AIIIBV (na ich bazie tworzone są różnego typu detektory, lasery, ogniwa słoneczne), które otrzymywane są w Łukasiewicz – IMiF. Spróbuje ich zaciekawić strukturami nanodrutów i ich możliwościami aplikacyjnymi – czyli jej ulubionym tematem. Z kolei mgr Ewelina Możdżyńska wprowadzi studentów w świat heteroepitaksji* azotku galu (GaN) i struktur wieloskładnikowych jako materiałów do zastosowań w optoelektronice.

Studenci dowiedzą się także, w jaki sposób w naszych laboratoriach charakteryzujemy powierzchnie otrzymywanych warstw epitaksjalnych – za pomocą skaningowej mikroskopii elektronowej (SEM) oraz mikroskopii sił atomowych (AFM). Dr Jarosław Gaca natomiast wtajemniczy studentów w rentgenowskie metody badań jakości krystalograficznej warstw (XRD) oraz możliwości analizy ich grubości czy chropowatości (XRR).

W ramach drugiej części spotkania studenci odwiedzą laboratorium, gdzie będą mogli zmierzyć swoje próbki na SEM, AFM, XRD i XRR.

A już w ostatni piątek stycznia finał Warsztatów Epitaksji i prezentacje studentów! Zanim jednak nastąpi szczęśliwe zakończenie, przypomnimy Wam, co się wydarzyło w zeszłym tygodniu:

Emil Tymicki wyjaśnił słuchaczom, jak otrzymujemy kryształy objętościowe i skąd biorą się podłoża pod wzrost epitaksjalny. Dr Kinga Kościewicz opowiedziała natomiast o homoepitaksji** i otrzymywaniu warstw epitaksjalnych węglika krzemu (SiC). Studenci PW dowiedzieli się także, czy SiC to dobre podłoże do otrzymywania grafenu. Mgr Jakub Jagiełło i mgr Artur Dobrowolski opowiedzieli o swojej metodzie pomiarowej: spektroskopii ramanowskiej, o której pisaliśmy tu już nieraz.

Następnie – już w laboratorium – studenci zmierzyli swoje próbki na spektrometrze ramanowskim. Zobaczyli także wszystkie reaktory do epitaksji, które znajdują się w oddziale naszego Instytutu przy ulicy Wólczyńskiej w Warszawie.

Warsztaty prowadzili również dr hab. inż. Marek Guziewicz oraz mgr Beata Stańczyk.

Dr hab. Guziewicz tak streścił przedmiot swoich zajęć:

“Przedstawiłem przegląd materiałów, z których wykonuje się elementy półprzewodnikowe oraz technologie, jakie stosuje się do ich wytwarzania. Poza tradycyjnymi materiałami jak krzem, german, arsenek galu czy fosforek indu współczesna elektronika stosuje inne, nowe formy węgla (diament, grafen) oraz szereg związków wieloskładnikowych do wytworzenia półprzewodników o dobranej przerwie energetycznej i specyficznych właściwościach, które to umożliwiają zastosowanie ich nie tylko w typowych elementach jak diody, tranzystory, ale także w niezliczonej liczbie czujników, detektorów do pomiarów różnych parametrów fizycznych, chemicznych czy też cech biologicznych, jak i w elementach do przekształcania energii cieplnej i promieniowania e-m na elektryczną i odwrotnie.

Podałem przykłady elementów takich jak diody laserowe na InGaAs, tranzystory HEMT na GaN oraz MOSFET na InGaZnO, które opracowano w naszym Instytucie. Zwróciłem studentom uwagę na dynamiczny rozwój przyrządów półprzewodnikowych dzięki opracowaniu wielu nowych materiałów oraz procesów technologicznych adekwatnych dla ich obróbki w procesie produkcji przyrządów. Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki posiada duży potencjał dla rozwoju współczesnej elektroniki i jest otwarty na studentów aspirujących do pracy w roli naukowców!”

Mgr Stańczyk natomiast opowiedziała nam o swoich warsztatach w krótkich żołnierskich zdaniach: “Temat prowadzony przeze mnie, w ramach warsztatów z epitaksji, dotyczył fotolitografii. Przybliżyłam termin „fotolitografii”, zaprezentowałam urządzenia znajdujące się w pracowni i opowiedziałam, jakie mają możliwości. Omówiłam też techniki fotolitograficzne – fotolitografię wprost i lift-off. Określiłam, od czego zależy jakość odwzorowania geometrii wzoru. Przedstawiłam rodzaje emulsji z zaznaczeniem, jakie są wykorzystywane w naszym laboratorium. Na koniec wymieniłam przyrządy, które zostały zrealizowane przy zastosowaniu metod fotolitograficznych”.

*O heteroepitaksji mówimy, gdy stałe sieci kryształu podłożowego i krystalizowanej warstwy różnią się, a współczynnik niedopasowania jest większy niż 0,05%.

*Homoepitaksja = gdy stałe sieci kryształu podłożowego i krystalizowanej na nim warstwy są identyczne lub współczynnik niedopasowania jest mniejszy niż 0,05%.