Dlaczego potrzebujemy urządzeń na bazie azotku galu? W porównaniu z krzemowymi zajmują mniej miejsca i ułatwiają szybkie ładowanie bez potencjalnie niebezpiecznych wzrostów temperatury, które czasami można zaobserwować w tradycyjnych urządzeniach Si.

Co więcej, według Innoscience BiGaN HEMT może zmniejszyć rezystancję w stanie włączenia o 50%, rozmiar czipa o 70% i wzrost temperatury o 40%.

Krzem był, jest i będzie najbardziej popularnym materiałem do budowy różnych przyrządów półprzewodnikowych, ale w wielu zastosowaniach przyrządy na bazie GaN, np. tranzystory mocy dla energoelektroniki i mikrofalowej elektroniki, oferują znacznie lepsze parametry, i to nawet przy zbliżonej cenie, co przekłada się na lepszą wydajność układów elektronicznych i ich niższy koszt w porównaniu do rozwiązań bazujących na ich krzemowych odpowiednikach – powiedział dr inż. Andrzej Taube, nasz ekspert od GaN.