Urządzenia oparte na półprzewodnikach o ultraszerokiej przerwie energetycznej (ultrawide bandgap (UWBG) semiconductors, powyżej 4 eV), takich jak tlenek galu, mogą pracować przy znacznie wyższych napięciach niż przyrządy oparte na krzemie, ponieważ wraz ze wzrostem szerokości przerwy energetycznej wartość krytycznego pola elektrycznego również wzrasta. Co więcej, materiały te mogą teoretycznie działać w znacznie wyższych temperaturach.
Można uzyskać większe napięcie przebicia dla takiej samej grubości warstwy i domieszkowania niż dla innych materiałów, albo – aby otrzymać takie samo napięcie przebicia – można zastosować cieńsze lub mocniej domieszkowane warstwy, co zmniejsza rezystancję, a co za tym idzie straty. Ponadto im cieńsza warstwa, tym krótszy proces wzrostu i mniejsza cena struktury epitaksjalnej (mniejsze zużycie reagentów i więcej struktur można zrobić w tym samym czasie).
Tlenek galu, jako półprzewodnik UWBG, może być również wykorzystywany do wykrywania głębokiego promieniowania ultrafioletowego, na przykład promieniowania emitowanego przez lampy używane do dezynfekcji (o długości fali 254 nm), które zabija wirusy i niszczy DNA.
Do innych zalet tlenku galu należy możliwość otrzymywania większych płytek – oznacza to, że technologie można łatwo skalować i wprowadzać na technologiczne linie produkcyjne, a większe płytki to wyższa wydajność i niższy koszt wytwarzania urządzeń.