Są takie numery, które zapadają w pamięć, np. 3.14, 007, a teraz do nich dołączył P.434857. Kryje się za nim kolejny sukces naukowców Grupy Badawczej Technologie SiC. Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej przyznał nam patent P.434857 na „Sposób wyznaczenia profilu gęstości niejednorodnych nanometrycznych warstw tlenkowych na płytkach SiC”. O co w tym chodzi?

Opracowana autorska technika badawcza pozwala zgłębić tajemnice bardzo cienkich materiałów decydujących o wydajności przyrządów mocy dla nowoczesnej elektroenergetyki.

Wykorzystuje się je bowiem w bezemisyjnej produkcji energii elektrycznej, stacjach ładowania samochodów elektrycznych, w pojazdach szynowych i przemyśle hutniczym.

Co wyróżnia tę technikę? Jest nieniszcząca i precyzyjna. Pomysł wykorzystuje zjawisko odbicia fal rentgenowskich od warstw materiału amorficznego o różnej gęstości masy.

Więcej w artykule dla „Journal of Materials Chemistry C”!

Patent jest efektem prac w projekcie NCBR TECHMATSTRATEG WidePOWER.

Kilka słów o SiC: Główny zaletą urządzeń opartych na węgliku krzemu jest fakt, że mogą działać przy dużej mocy i w wysokich temperaturach. Jaka jest charakterystyczna cecha SiC w porównaniu z innymi półprzewodnikami o szerokiej przerwie energetycznej? Jest nią możliwość utleniania termicznego w podobny sposób do tego stosowanego w technologii urządzeń Si.