W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że pliki opisane w Polityce Prywatności będą zamieszczane na Państwa urządzeniu końcowym. W każdej chwili możecie Państwo zmienić ustawienia dotyczące plików cookies w przeglądarce internetowej. Akceptacja niezbędnych plików cookies jest wymagana do prawidłowego działania witryny. Szczegółowe informacje znajdą Państwo w zakładce POLITYKA PRYWATNOŚCI.

Prototypowanie przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu (GaN)

Strona Główna Oferta Oferta produktowa i usługowa Mikroelektronika Technologia GAN, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate Prototypowanie przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu (GaN)

Prototypowanie przyrządów półprzewodnikowych na bazie azotku galu (GaN)

Wykonywanie procesów technologicznych i prototypowanie przyrządów półprzewodnikowych na innych materiałach, np. węgliku krzemu (SiC) lub półprzewodnikach tlenkowych (Ga2O3, ZnO, InGaZnO).

Nie ma odpowiedzi na twoje pytanie?

Zapytaj o produkt

This will close in 0 seconds