W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że pliki opisane w Polityce Prywatności będą zamieszczane na Państwa urządzeniu końcowym. W każdej chwili możecie Państwo zmienić ustawienia dotyczące plików cookies w przeglądarce internetowej. Akceptacja niezbędnych plików cookies jest wymagana do prawidłowego działania witryny. Szczegółowe informacje znajdą Państwo w zakładce POLITYKA PRYWATNOŚCI.

Pomiar parametrów macierzy rozproszenia S tranzystorów mikrofalowych

Strona Główna Oferta Oferta produktowa i usługowa Mikroelektronika Technologia GAN, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate Pomiar parametrów macierzy rozproszenia S tranzystorów mikrofalowych

Pomiar parametrów macierzy rozproszenia S tranzystorów mikrofalowych

Pomiar parametrów macierzy rozproszenia S tranzystorów mikrofalowych dla częstotliwości do 50 GHz dla różnych punktów pracy przyrządu (maksymalny prąd wyjściowy 0.4 A, napięcie zasilania VDS do ±200V).

Nie ma odpowiedzi na twoje pytanie?

Zapytaj o produkt

This will close in 0 seconds