Oferujemy kompleksowe pomiary charakterystyk prądowo-napięciowych (I-V), pojemnościowo-napięciowych (C-V) oraz konduktancyjnych (G-V) dla tranzystorów, diod, kondensatorów i innych elementów elektronicznych. Pomiary realizowane są zarówno w obudowach, jak i bezpośrednio na strukturach półprzewodnikowych osadzonych na płytkach krzemowych (on wafer).
Dysponujemy półautomatycznym stanowiskiem pomiarowym Cascade Summit 12000 AP, wyposażonym w analizator przyrządów półprzewodnikowych Agilent B150 oraz stolik z regulacją temperatury od minus 45 do 200 stopni Celsjusza. Alternatywnie wykorzystujemy stanowisko z proberem wysokiego napięcia Cascade Tesla i analizatorem Keysight B1505, umożliwiające pomiary do 3 kilowoltów i 20 amperów impulsowo.
Zakres pomiarowy obejmuje prądy od pojedynczych femtoamperów do 50 amperów (impulsowo) oraz temperatury od 10 kelwinów (w komorze kriogenicznej) do 300 stopni Celsjusza. Wykonywane są także pomiary charakterystyk C-V tranzystorów w konfiguracjach CRSS, CISS i COSS, zarówno on wafer, jak i w obudowach TO-220 i TO-247, przy częstotliwościach od 1 kiloherca do 1 megaherca.