Wygrzewanie poimplantacyjne SiC
Zastosowanie zogniskowanej wiązki jonów galu umożliwia lokalne modyfikowanie powierzchni w skali submikrometrowej. Poprzez skanowanie powierzchni materiału zadane wzory mogą być zarówno trawione, jak i nanoszone poprzez osadzanie z gazowych prekursorów materiału przewodzącego lub izolującego (Pt, W, SiO2). W połączeniu z mikromanipulatorem metoda pozwala na wycinanie, przenoszenie oraz przymocowywanie fragmentów materiału. Technika ta świetnie nadaje się do tworzenia i testowania nowych rozwiązań konstrukcyjnych dla jednostkowych przyrządów (lub produkcji małoseryjnej) na specjalne zamówienie klienta, w szczególności o bardzo małych krytycznych rozmiarach (w skali dziesiątek i setek nanometrów). Ponadto oferujemy diagnostykę wytworzonych materiałów, struktur i przyrządów poprzez wykonywanie przekrojów oraz obrazowanie w trybach SIM (skanigowa mikroskopia jonowa) oraz SEM (skaningowa mikroskopia elektronowa). Dysponujemy możliwością chłodzenia próbek w trakcie prac do niskich temperatur (~80 K) oraz możliwością operowania zarówno na małych próbkach, jak i 6-calowych płytkach.
Nie ma odpowiedzi na twoje pytanie?