Specjalista ds. wzrostu heterostruktury półprzewodnikowej (MBE, MOCVD) (K/M)
WYMAGANIA OBOWIĄZKOWE:
- Wykształcenie wyższe magisterskie albo wykształcenie wyższe i roczne doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym.
- Preferowani absolwenci kierunków: fizyka, fizyka techniczna, elektronika, inżynieria materiałowa, z min. 2 letnim doświadczeniem w pracy nad epitaksją heterostruktur oraz serwisowaniem urządzeń MBE/MOCVD
- Wiedza z zakresu wzrostu kryształów, fizyki i technologii laserów półprzewodnikowych (w szczególności kwantowych laserów kaskadowych), ultra wysokiej próżni (UHV)
- Znajomość technologii osadzania warstw metodą epitaksji MBE lub MOCVD
- Dobra znajomość języka angielskiego w mowie i w piśmie (B2)
- Predyspozycje do pracy eksperymentalnej
- Umiejętność pracy w zespole jak również samodzielnie
- Umiejętność pracy w środowisku laboratorium technologicznego typu clean-room.
- Umiejętność rzetelnej pracy i dokumentacji prowadzonych prac technologicznych, analizy uzyskanych wyników eksperymentalnych i przygotowywania raportów
- Systematyczność, zaangażowanie
OPIS STANOWISKA:
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Rodzaj umowy: umowa o pracę
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Wymiar etatu: 100% etatu
Miejsce pracy: Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Codzienne zadania
- Realizacja prac związanych z wzrostem heterostruktur półprzewodnikowych z rodziny III-V przy użyciu technologii epitaksji z wiązek molekularnych (MBE)
- Opracowanie nowych metod prowadzenia procesu osadzania, optymalizacja warunków wzrostu, projektowanie procesów i tworzenie procedur technologicznych
- Charakteryzacja parametrów warstw i struktur półprzewodnikowych, analiza uzyskanych wyników oraz wprowadzanie poprawek do technologii osadzania
- Obsługa wyposażenia aparaturowego laboratorium oraz serwis urządzeń technologicznych (reaktora MBE oraz aparatury wspierającej, w tym aparatury próżniowej i systemów pompowych)
- Realizacja badań naukowych lub prac rozwojowych, w tym w ramach współpracy krajowej i międzynarodowej, na wysokim poziomie naukowym, potwierdzonym publikacjami w renomowanych czasopismach naukowych i/lub patentami
- Przygotowywanie dokumentacji naukowo-technicznej z prowadzonych prac B+R. Pisanie raportów z przeprowadzonych prac
Benefity
- Pakiety medyczne
- Grupowe ubezpieczenie na życie
- Karta sportowa
- Dofinansowanie szkoleń i kursów
- Dodatkowe świadczenia socjalne
- Dofinansowanie wypoczynku
- Świadczenie świąteczne
- Nagrody jubileuszowe
- Dodatkowe dni wolne
- Inicjatywy dobroczynne
OFERUJEMY
- Pracę w organizacji realizującej innowacyjne, krajowe i zagraniczne, prestiżowe projekty badawczo-rozwojowe
- Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
- Kulturę wspierającą różnorodność i rozwój
- Udział w konferencjach krajowych i zagranicznych
- Programy zatrudniania finalistów olimpiad przedmiotowych
- Możliwość realizowania praktyk szkolnych i studenckich
- Dostęp do wydawnictw naukowych
- Elastyczne godziny pracy
Wynik naboru
Brak opublikowanego wyniku naboru.