Młodszy inżynier ds. pomiarów elektrycznych
WYMAGANIA OBOWIĄZKOWE:
- Wykształcenie wyższe (tytuł zawodowy inżyniera). Preferowani absolwenci kierunków elektronika, fizyka lub pokrewnych
- Doświadczenie w wykonywaniu pomiarów elektrycznych / optycznych / fizycznych i/lub w analizie danych pomiarowych
- Precyzja i dokładność w pracy.
- Umiejętność pracy samodzielnej i zespołowej.
- Dobra organizacja pracy, samodzielność, komunikatywność, sumienność, odpowiedzialność, zdolność do pracy pod presją czasu.
- Znajomość języka angielskiego w stopniu co najmniej komunikatywnym (min. B1).
- Praktyczna znajomość pakietów biurowych MS Office lub pokrewnych.
Mile widziane
- Znajomość programu Origin, narzędzi automatycznej obróbki i prezentacji danych (np. umiejętność tworzenia skryptów w języku Pyton, VBA itp.)
OPIS STANOWISKA:
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Codzienne zadania
- Obsługa urządzeń do charakteryzacji elektrycznej przyrządów półprzewodnikowych, w tym stacji ostrzowych, zestawów źródeł mierzących (SMU), wektorowego analizatora obwodów i innych mierników własności elektrycznych;
- Wykonywanie pomiarów prądowo napięciowych struktur testowych on-wafer i wytworzonych przyrządów (diod i tranzystorów).
- Wykonywanie pomiarów pojemnościowo-napięciowych struktur testowych on-wafer i wytworzonych przyrządów (diod i tranzystorów).
- Wyznaczanie parametrów elektrycznych diod: napięcie progowe, współczynnik idealności, Ron, napięcie przebicia etc.
- Wyznaczanie parametrów elektrycznych tranzystorów: napięcie progowe, transkonduktancja, Ron, pojemności pasożytnicze,
- Analiza wyników pomiarów struktur testowych wyznaczanie koncentracji domieszek w warstwach półprzewodnikowych, wyznaczanie rezystywności warstw i kontaktów, ruchliwości etc.
- Wykonywanie innych pomiarów pomocniczych, np. mikroskop optyczny, skaningowy mikroskop elektronowy (SEM), profilometria itp.
- Analiza wyników, opracowywanie raportów z pomiarów.
Benefity
- Praca w organizacji badawczej nastawionej na realizację innowacyjnych, prestiżowych projektów badawczo-rozwojowych
- Możliwość zdobycia unikalnego doświadczenia zawodowego
- Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
- Niezbędne narzędzia pracy
- Możliwość skorzystania z atrakcyjnej oferty na opiekę medyczną, pakiet sportowy oraz ubezpieczenie na życie
- Praca w przyjaznej atmosferze
Wynik naboru
Brak opublikowanego wyniku naboru.