Specjalista ds. technologii wzrostu heterostruktur półprzewodnikowych
WYMAGANIA OBOWIĄZKOWE:
- Wykształcenie wyższe magisterskie albo wykształcenie wyższe i roczne doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym. Preferowani absolwenci kierunków: fizyka, elektronika inżynieria materiałowa
- Wiedza z zakresu wzrostu kryształów, fizyki i technologii laserów półprzewodnikowych w szczególności kwantowych laserów kaskadowych
- Znajomość technologii osadzania warstw metodą epitaksji MBE lub MOCVD
- Dobra znajomość języka angielskiego w mowie i w piśmie
- Predyspozycje do pracy eksperymentalnej
- Umiejętność pracy w zespole jak również samodzielnie
- Praca w środowisku laboratorium technologicznego, epitaksja heterostruktur oraz prace serwisowe przy urządzeniu MBE/MOCVD i aparaturze wspierającej pracę reaktora
- Wiedza z zakresu ultra wysokiej próżni (UHV)
- Umiejętność rzetelnej dokumentacji prac technologicznych, analizy uzyskanych wyników eksperymentalnych i przygotowywania raportów
- Systematyczność i rzetelność
OPIS STANOWISKA:
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Codzienne zadania
- Wzrost heterostruktur półprzewodnikowych z rodziny III-V przy użyciu technologii epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), w szczególności struktur kwantowych laserów kaskadowych opartych o układ materiałowy InGaAs/InAlAs/InP
- Opracowanie nowych metod prowadzenia procesu osadzania, optymalizacja warunków wzrostu, projektowanie procesów i pisanie procedur technologicznych
- Charakteryzacja parametrów warstw i struktur półprzewodnikowych, analiza uzyskanych wyników oraz wprowadzanie korekt do technologii osadzania
- Serwis urządzeń technologicznych – Reaktora MBE oraz aparatury wspierającej, w tym aparatury próżniowej i systemów pompowych
- Realizację badań naukowych lub prac rozwojowych, w tym w ramach współpracy krajowej i międzynarodowej, na wysokim poziomie naukowym, potwierdzonym publikacjami w renomowanych czasopismach naukowych i/lub patentami
- Pisanie raportów, publikacji naukowych
Benefity
- Praca w organizacji badawczej nastawionej na realizację innowacyjnych, prestiżowych projektów badawczo-rozwojowych
- Możliwość zdobycia unikalnego doświadczenia zawodowego
- Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
- Niezbędne narzędzia pracy
- Możliwość skorzystania z atrakcyjnej oferty na opiekę medyczną, pakiet sportowy oraz ubezpieczenie na życie
- Pracę w przyjaznej atmosferze
Wynik naboru
Brak opublikowanego wyniku naboru.