Nasi naukowcy jako pierwsi udowodnili eksperymentalnie, że bor wbudowuje się międzywęzłowo w sieć azotku galu. Dodatkowo po raz pierwszy zbadali poziomy defektowe wywołane borem w GaN. Dlaczego tyle uwagi mu poświęcili? Bo azotek galu jest materiałem przyszłości.
Półprzewodnik ten stosowany jest w optoelektronice i elektronice. Nie od dziś wiadomo, że popularne diody elektroluminescencyjne (LEDs) powstają na jego bazie. A najnowsze badania pokazują, że może on nawet wyprzeć krzem w elektronice.
Wszechstronność tego związku wynika z możliwości łączenia go w bardziej skomplikowane związki trójskładnikowe, jak InGaN, AlGaN… i właśnie BGaN. To właśnie BGaN jest związkiem, który badają nasi naukowcy.
Ich ostatnie dwie prace naukowe poświęcone temu tematowi wyjaśniają naturę wbudowywania się boru w sieć GaN oraz jego wpływ na właściwości strukturalne, optyczne i defektowe związku BGaN.
Ponadto przedstawili w nich wpływ boru międzywęzłowego na fotoluminescencję w pomarańczowym zakresie światła! Taki zakres jest trudno osiągalny dla związków GaN i mógłby pomóc w rozwoju białych diod LEDs bazujących na GaN. A białe diody LEDs są przecież podstawą dzisiejszego oświetlenia!
Więcej o tym w publikacjach pod linkami:
Insights_on_boron_impact_on_structural_characteristics_in_epitaxially_grown_BGaN