GaN – Łukasiewicz-IMIF

Opracujemy kolejną generację tranzystorów GaN HEMT (projekt GaNLIN)

You can d… do it! Nowa generacja. 😉 Opracowaliśmy już pierwszą generację tranzystorów GaN HEMT w klasie napięciowej 650V i wydajności prądowej 10 A. Natomiast, w ramach projektu GaNLIN, którego liderem jest nasz Instytut, opracujemy kolejną generację. Celem prac badawczych będzie zwiększenie maksymalnego napięcia pracy naszych tranzystorów oraz zwiększenie ich wydajności prądowej. Ich zastosowania będą naprawdę szerokie, a zapotrzebowanie na nie już jest ogromne! Liczymy, że nowa generacja przyrządów znajdzie liczne zastosowania, nie tylko w konstrukcji zasilaczy czy ładowarek samochodowych, ale również w innych branżach, takich

Polska fotonika świeci pełnym blaskiem: dr hab. inż. Anna Szerling w Board of Stakeholders Photonics21

Polska fotonika znów przyciąga uwagę Europy — do prestiżowego grona Photonics21 Board of Stakeholders, które współtworzy strategiczne kierunki badań i innowacji w ramach Horizon Europe, dołącza dr hab. inż. Anna Szerling, Zastępczyni Dyrektora ds. Badawczych w Łukasiewicz – IMiF. To mocny sygnał, że polski głos w europejskiej debacie technologicznej wybrzmiewa coraz donośniej. Kim jest nowa członkini Photonics21 Board of Stakeholders i dlaczego jej wybór ma znaczenie? Dr hab. inż. Anna Szerling od lat związana jest z Łukasiewicz – Instytutem Mikroelektroniki i Fotoniki, gdzie specjalizuje się w badaniach nad strukturami

Wszystkie drogi prowadzą do Rzymu, a z Rzymu do… Wide Band Gap Pilot Line!

W Rzymie oficjalnie zainaugurowano projekt Wide Band Gap Pilot Line – międzynarodową inicjatywę, która przez najbliższe pięć lat będzie wyznaczać nowe kierunki w rozwoju technologii półprzewodników. W wydarzeniu wzięli udział także nasi naukowcy z Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki. Czym jest projekt WBG Pilot Line? WBG Pilot Line to projekt współfinansowany przez Unię Europejską w ramach Chips Joint Undertaking (Chips JU) oraz przez państwa członkowskie UE. Jego celem jest utworzenie zintegrowanej linii pilotażowej dla technologii półprzewodników szerokozakresowych (WBG) i ultra-szerokozakresowych (UWBG), które stanowią podstawę nowoczesnej

Tom Cruise i polscy naukowcy? Sprawdź, co naprawdę wydarzyło się na IMAPS 2025

Nasi naukowcy – Tomasz Bieniek i Grzegorz Janczyk reprezentowali Polskę na 58. Międzynarodowym Sympozjum Mikroelektroniki (IMAPS) w San Diego – jednym z kluczowych wydarzeń branży mikroelektroniki na świecie. Wizytę w słonecznej Kalifornii uatrakcyjniło dodatkowo spotkanie z… sobowtórem Toma Cruise’a. Sprawdź, co działo się na miejscu i jakie inicjatywy zaprezentowano! Czym jest IMAPS i dlaczego to wydarzenie ma tak duże znaczenie? IMAPS (International Microelectronics Assembly and Packaging Society) to globalne sympozjum poświęcone mikroelektronice i zaawansowanemu pakowaniu komponentów. Wydarzenie w San Diego zgromadziło ekspertów, młodych naukowców i studentów, tworząc

Prezes Sieci Badawczej Łukasiewicz typuje naszą technologię – GaN

W jakiej dziedzinie polscy naukowcy są szczególnie mocni? Prezes Łukasiewicz typuje azotek galu, który w naszych laboratoriach opracowuje m.in. dr hab. Anna Szerling i dr inż. Andrzej Taube wraz zespołem. Dlaczego? Poniżej przytaczamy część wywiadu, którego udzielił mycompanypolska.pl: – Czy jest jakaś dziedzina / obszar nauki, w którym Polacy są szczególnie mocni? Jeśli tak, to z czego wynika fakt, że akurat w tej konkretnej specjalizacji tak świetnie się odnajdujemy? – Azotek galu (GaN), którego technologię wytwarzania opracowali polscy naukowcy pod koniec XX w., może się okazać następcą krzemu i być odpowiedzią na problemy z przerwanymi

Nadchodzi transformacja energetyczna, w którą doskonale wpisuje się projekt EnerGaN

[fusion_builder_container type=”flex” hundred_percent=”no” equal_height_columns=”no” menu_anchor=”” hide_on_mobile=”small-visibility,medium-visibility,large-visibility” class=”” id=”” background_color=”” background_image=”” background_position=”center center” background_repeat=”no-repeat” fade=”no” background_parallax=”none” parallax_speed=”0.3″ video_mp4=”” video_webm=”” video_ogv=”” video_url=”” video_aspect_ratio=”16:9″ video_loop=”yes” video_mute=”yes” overlay_color=”” video_preview_image=”” border_color=”” border_style=”solid” padding_top=”” padding_bottom=”” padding_left=”” padding_right=””][fusion_builder_row][fusion_builder_column type=”1_1″ layout=”1_1″ background_position=”left top” background_color=”” border_color=”” border_style=”solid” border_position=”all” spacing=”yes” background_image=”” background_repeat=”no-repeat” padding_top=”” padding_right=”” padding_bottom=”” padding_left=”” margin_top=”0px” margin_bottom=”0px” class=”” id=”” animation_type=”” animation_speed=”0.3″ animation_direction=”left” hide_on_mobile=”small-visibility,medium-visibility,large-visibility” center_content=”no” last=”true” min_height=”” hover_type=”none” link=”” border_sizes_top=”” border_sizes_bottom=”” border_sizes_left=”” border_sizes_right=”” first=”true”][fusion_text columns=”” column_min_width=”” column_spacing=”” rule_style=”” rule_size=”” rule_color=””

Zalety technologii GaN [infografika]

Zajmujemy się opracowywaniem tranzystorów wertykalnych, przeznaczonych do zastosowań w inteligentnych bankach energii opartych na technologii GaN (azotku galu). „Dzięki zastosowaniu naszych urządzeń inteligentne banki energii mogą być mniejsze, efektywniejsze, a przede wszystkim bardziej niezawodne w porównaniu do innych rozwiązań” – mówi dr inż. Andrzej Taube, nasz badacz. Zalety wykorzystania azotku galu w układach energoelektronicznych: Zastosowanie: Elektronika użytkowa, ładowanie bezprzewodowe, sektor ICT, centra danych, przetwarzanie i magazynowanie energii, sterowanie silnikami elektrycznymi, sterowanie oświetleniem LED.

Budujemy linię pilotażową w ramach Chips Act

W ramach inicjatywy Chips Act, Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz – IMiF) przystępuje do realizacji ambitnego projektu budowy nowoczesnej linii pilotażowej półprzewodników szerokoprzerwowych. Projekt ten koncentruje się na rozwoju zaawansowanych technologii półprzewodnikowych, które znajdują zastosowanie w kluczowych sektorach takich jak przemysł, motoryzacja, energia odnawialna, elektronika użytkowa oraz obronność. Budowa linii ma rozpocząć się już na początku 2025 roku, a na realizację założonych celów Łukasiewicz – IMiF i Instytut Wysokich Ciśnień PAN dostaną 50 mln EUR. Współpraca międzynarodowa Projekt przewiduje

Olimpijczycy w Łukasiewiczu – Kamil Abendroth

W centrum uwagi jest dziś Kamil Abendroth. Ale nad czym właściwie Kamil obecnie pracuje? Razem z kolegami z GB Technologie GaN, czujniki i struktury cienkowarstwowe opracowuje nowatorskie narzędzia do analizy i aktywacji akceptorów w azotku galu. – We współpracy z Kamilem zautomatyzowaliśmy proces analizy danych pomiarowych z tranzystorów – wyjaśnia Maciej Kamiński. Dzięki temu parametry zmierzonych kilkuset struktur testowych z jednej próbki otrzymujemy w kilka minut. Ręcznie zajęłoby to kilka dni. Wykorzystując to samo narzędzie nasi naukowcy z GB (Maciej Kamiński, Andrzej Taube i właśnie Kamil) chcą precyzyjnie wyznaczać

Co słychać w świecie fotonicznej rewolucji

Dobiegło końca tegoroczne XIV Sympozjum Techniki Laserowej w Rynie. Gościnne progi zamku krzyżackiego były idealną przestrzenią, by w gronie naukowców i przedsiębiorców z Polski i zza granicy porozmawiać o interdyscyplinarnych projektach badawczych, współpracy naukowej i transferze technologii. Zapoznaliśmy się z nowymi trendami w technologiach wytwarzania oraz nowatorskich zastosowaniach laserów w wielu dziedzinach fotoniki, takich jak czujniki biomedyczne, technologie kwantowe, fotonika średniej podczerwieni i teraherce. Dyskutowaliśmy też o wykorzystaniu laserów w obronności i bezpieczeństwie. Jednym słowem o przyszłości fotoniki. Oferta i osiągnięcia naukowe naszego instytutu zostały przedstawione w dwóch zaproszonych

wyniki wyszukiwania:GaN

Wyszukiwarka