W ramach inicjatywy Chips Act, Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz – IMiF) przystępuje do realizacji ambitnego projektu budowy nowoczesnej linii pilotażowej półprzewodników szerokoprzerwowych. Projekt ten koncentruje się na rozwoju zaawansowanych technologii półprzewodnikowych, które znajdują zastosowanie w kluczowych sektorach takich jak przemysł, motoryzacja, energia odnawialna, elektronika użytkowa oraz obronność. Budowa linii ma rozpocząć się już na początku 2025 roku, a na realizację założonych celów Łukasiewicz – IMiF i Instytut Wysokich Ciśnień PAN dostaną 50 mln EUR.
Współpraca międzynarodowa
Projekt przewiduje uruchomienie WBG Pilot Line (Wide Band Gap semiconductors pilot line), która będzie jedną z czterech linii pilotażowych finansowanych przez Unię Europejską oraz państwa członkowskie. W skład międzynarodowego konsorcjum wchodzą 22 jednostki naukowo-badawcze i uczelnie wyższe z Włoch, Szwecji, Finlandii, Austrii, Niemiec, Francji i Polski.
Znaczenie nowej linii pilotażowej
Linia pilotażowa skupi się na rozwijaniu innowacyjnych technologii materiałowych i przyrządowych, opierających się na półprzewodnikach szerokoprzerwowych, takich jak azotek galu (GaN), węglik krzemu (SiC) oraz tlenek galu (Ga2O3). Polskie jednostki naukowo-badawcze, Łukasiewicz – IMIF oraz IWC PAN, będą odpowiedzialne za rozwój technik wzrostu podłoży i warstw epitaksjalnych GaN oraz technologii wytwarzania przyrządów na bazie GaN i Ga2O3.
Projekt przewiduje również rozszerzenie potencjału Laboratorium Technologii Przyrządów z GaN, czujników i materiałów porowatych. Laboratorium zostanie wyposażone między innymi w nowoczesne reaktory do trawienia plazmowego i osadzania cienkich warstw z fazy gazowej technikami PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), PVD (Physical Vapor Deposition) oraz techniką ALD (Atomic Layer Deposition), umożliwiająca kontrolę grubości warstwy na poziomie atomowym.
Szansa dla Europy
Projekt Linii Pilotażowej w ramach Chips Act stanowi istotny krok w kierunku rozwoju nowoczesnych technologii półprzewodnikowych w Polsce i Europie. Dzięki zaangażowaniu krajowych jednostek naukowych i międzynarodowej współpracy, projekt ma szansę znacząco przyczynić się do rozwoju technologicznego i naukowego w obszarze zaawansowanych półprzewodników.