Pomiary fotoelektryczne umożliwiają precyzyjną analizę właściwości elektrycznych struktur typu MOS, w szczególności określenie wysokości barier potencjałów na granicach bramka-dielektryk i półprzewodnik-dielektryk, pracy wyjścia materiału bramki oraz efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów. Technika polega na jednoczesnym przyłożeniu napięcia polaryzującego i naświetlaniu struktury modulowanym światłem o zróżnicowanej długości fali. Odpowiedź próbki jest rejestrowana przez układ pomiarowy.
Pomiary realizowane są z wykorzystaniem unikatowego stanowiska WSBF (wielozadaniowy system badań fotoelektrycznych), opracowanego w naszym Instytucie i wyposażonego w zestaw wysokiej klasy urządzeń pomiarowych. W ramach WSBF możliwe jest m.in. bardzo dokładne wyznaczanie efektywnej kontaktowej różnicy potencjałów z niepewnością rzędu ±10 mV.
Połączenie technik fotoelektrycznych i elektrycznych pozwala na kompleksową charakteryzację struktur MOS, w tym określenie napięcia progowego tranzystora i rekonstrukcję pełnego schematu pasmowego badanego układu.