Wieloparametryczna spektroskopia admitancyjna (MPAS) to zaawansowana technika elektrycznej charakteryzacji przyrządów półprzewodnikowych, umożliwiająca analizę pułapek ładunku wpływających na ich parametry pracy i niezawodność. Metoda ta polega na pomiarze i graficznej analizie dyspersji konduktancji przyrządu jako funkcji potencjału powierzchniowego oraz odwrotności częstości kątowej sygnału AC.
Dzięki MPAS możliwe jest szybkie wyznaczenie energetycznego rozkładu gęstości pułapek i ich przekroju czynnego, a także ocena mechanizmów ich powstawania i oddziaływania z nośnikami ładunku. Technika ta znajduje zastosowanie w badaniach cienkowarstwowych dielektryków, materiałów izolacyjnych oraz struktur MOS i MIS.
Metoda jest w pełni nieniszcząca i stanowi cenne narzędzie do optymalizacji materiałów i technologii wytwarzania nowoczesnych układów elektronicznych.