Wzrost struktur półprzewodnikowych metodą MBE ze związków III-V: Quantum Cascade Lasers, VECSELs, Detectors; MBE machine Riber Compact 21T.

Używane metale: In, Ga, Al, As, P, Si, Be.

Wyposażone w LayTec, RHEED, pirometr optyczny i spektrometr mas