VCSEL nie jest pompowany elektrycznie i nie jest monolityczny (oznacza to, że funkcje rezonatora i medium wzmocnienia nie są spełniane jednocześnie wspólnie w tym samym kawałku półprzewodnika). To go odróżnia od standardowej konstrukcji lasera półprzewodnikowego.

Podczas konstrukcji lasera VCSEL, w celu uzyskania doskonałej jakości wiązki, dbamy o to, by przyrząd miał symetrię osiową, dlatego też wykorzystujemy zewnętrzny liniowy rezonator składający się z dwu luster dielektrycznych, których ustawienie jest dobrane tak, by laser emitował wiązkę o przekroju kołowym i gaussowskim rozkładzie mocy. Jako medium wzmocnienia wykorzystywana jest heterostruktura półprzewodnikowa, czyli układ warstw półprzewodnikowych – zaprojektowany tak, by skorzystać ze zjawisk kwantowych, tzn. z falowej natury nośników.

Dotychczas prowadzone prace w Łukasiewicz – IMIF pozwoliły na zademonstrowanie VCSEL w zakresie spektralnym 980nm i 1550-1780nm. Lasery te były strojone w zakresach odpowiednio 90 i 170nm.