1. Warstwy z antymonem, np. GaSb, AlGaSb, AlGaAsSb na podłożach GaSb i GaAs,
2. heterostruktury na bazie ww. warstw,
3. heterostruktury przyrządów na bazie ww. warstw (heterostruktury domieszkowane p i n typu) wg projektu zamawiającego,
4. SLs:
a) I rodzaju AlSb/GaSb,
b) II rodzaju InAs/GaSb,
c) II rodzaju InAs/AlSb,
5. heterostruktury na bazie ww. SLs,
6. heterostruktury przyrządów na bazie ww. SLs (heterostruktury domieszkowane p i n typu) wg projektu zamawiającego na podłożach GaSb i GaAs,
7. Processing heterostruktur fotodetektorów.