W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że pliki opisane w Polityce Prywatności będą zamieszczane na Państwa urządzeniu końcowym. W każdej chwili możecie Państwo zmienić ustawienia dotyczące plików cookies w przeglądarce internetowej. Akceptacja niezbędnych plików cookies jest wymagana do prawidłowego działania witryny. Szczegółowe informacje znajdą Państwo w zakładce POLITYKA PRYWATNOŚCI.

Osadzanie warstw dielektrycznych metodą ALD

Strona Główna Oferta Oferta produktowa i usługowa Mikroelektronika Technologia GAN, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate Osadzanie warstw dielektrycznych metodą ALD

Osadzanie warstw dielektrycznych metodą ALD

Osadzanie warstw dielektrycznych tlenków i azotków metali metodą ALD, standardowo HfO2, ZrO2, Ta2O5, Al2O3, SiO2; możliwość opracowania tlenków mieszanych. Średnica podłoża do 6 cali.

Nie ma odpowiedzi na twoje pytanie?

Zapytaj o produkt

This will close in 0 seconds