Jedno-, dwu-, i trójwymiarowa (1D, 2D, 3D) symulacja numeryczna sekwencji procesów (m.in. osadzania, trawienia, implantacji, utleniania, dyfuzji) wytwarzania struktur półprzewodnikowych na bazie krzemu , związków A3B5 i in. Symulacja numeryczna szerokiej gamy przyrządów półprzewodnikowych (m.in. CMOS, tranzystorów bipolarnych, HEMT, przyrządów wysokonapięciowych) w dziedzinie elektrycznej, także z uwzględnieniem oświetlenia lub promieniowania jonizującego.