Młodszy specjalista ds. epitaksji (K/M)
WYMAGANIA OBOWIĄZKOWE:
- Wykształcenie wyższe lub wykształcenie średnie i 5-letnie doświadczenie w sektorze badawczo-rozwojowym
- Preferowani absolwenci kierunków: fizyka, fizyka techniczne, elektronika, inżynieria materiałowa
- Wiedza z zakresu fizyki epitaksji heterostruktur metodą MBE lub MOCVD, wzrostu heterostruktur półprzewodnikowych z rodziny III-V
- Dobra znajomość języka angielskiego w mowie i w piśmie (B2)
- Predyspozycje do pracy eksperymentalnej
- Umiejętność pracy w zespole jak również samodzielnie
- Umiejętność rzetelnej pracy i dokumentacji prowadzonych prac technologicznych, analizy uzyskanych wyników eksperymentalnych i przygotowywania raportów
- Systematyczność, zaangażowanie
- Umiejętność rozwiązywania problemów
OPIS STANOWISKA:
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (Łukasiewicz-IMiF) prowadzi prace badawczo-rozwojowe w obszarze zaawansowanych technologii mikroelektronicznych i fotonicznych. Posiada unikalne laboratoria technologiczne oraz kapitał intelektualny, które umożliwiają podejmowanie prac naukowych i projektów na rzecz podnoszenia innowacyjności polskich przedsiębiorstw tworząc jednocześnie bazy wiedzy high-tech w zakresie wytwarzania innowacyjnych materiałów oraz technologii i konstrukcji przyrządów mikroelektroniki i fotoniki, technologii azotku galu oraz technologii LTCC i elektroniki drukowanej oraz czujników medycznych, środowiskowych. Łukasiewicz–IMiF corocznie realizuje kilkadziesiąt projektów finansowanych ze środków krajowych i zagranicznych, których rezultaty mają zwiększyć innowacyjność polskiej gospodarki.
Rodzaj umowy: umowa o pracę
Liczba wolnych stanowisk pracy: 1
Wymiar etatu: pełny etat
Miejsce pracy: Warszawa
Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Codzienne zadania
- Udział w realizacji prac związanych z technologią wytwarzania przyrządów fotonicznych: wzrostu heterostruktur półprzewodnikowych metodą MBE oraz MOCVD
- Udział w procesach epitaksjalnego wzrost heterostruktur półprzewodnikowych z rodziny III-V przy użyciu technologii epitaksji z wiązek molekularnych (MBE), w szczególności struktur kwantowych laserów kaskadowych opartych o układ materiałowy InGaAs/InAlAs/InP
- Charakteryzacja parametrów warstw i struktur półprzewodnikowych, analiza uzyskanych wyników oraz wprowadzanie korekt do technologii osadzania
- Udział w pracach serwisowych urządzeń technologicznych – Reaktora MBE, MOCVD oraz aparatury wspierającej, w tym aparatury próżniowej i systemów pompowych
- Pisanie raportów
- Uczestnictwo w konferencjach, warsztatach, targach
Benefity
- Pakiety medyczne
- Grupowe ubezpieczenie na życie
- Karta sportowa
- Dofinansowanie szkoleń i kursów
- Dodatkowe świadczenia socjalne
- Dofinansowanie wypoczynku
- Świadczenie świąteczne
- Nagrody jubileuszowe
- Dodatkowe dni wolne
- Inicjatywy dobroczynne
OFERUJEMY
- Pracę w organizacji realizującej innowacyjne, krajowe i zagraniczne, prestiżowe projekty badawczo-rozwojowe
- Stabilne zatrudnienie na umowę o pracę
- Kulturę wspierającą różnorodność i rozwój
- Udział w konferencjach krajowych i zagranicznych
- Programy zatrudniania finalistów olimpiad przedmiotowych
- Możliwość realizowania praktyk szkolnych i studenckich
- Dostęp do wydawnictw naukowych
- Elastyczne godziny pracy
Wynik naboru
Brak opublikowanego wyniku naboru.