Projekty

Wysokonapięciowe tranzystory GaN HEMT do zastosowań w zasilaczach liniowych i płytach indukcyjnych

Celem projektu jest usprawnienie technologii wytwarzania ogniw fotonowych GaN PCSEL poprzez opracowanie górnych styków omowych na bazie ZnO:Al, w których umieszczone są kryształy fotoniczne i które działają jako warstwa rozpraszająca prąd, eliminując potrzebę trawienia ogniw fotonowych w GaN, co powoduje degradację.

Celem projektu jest rozbudowa potencjału badawczego Centrum Nanoelektroniki, Mikrosystemów i Fotoniki ITE.

Celem projektu jest opracowanie rodziny naprowadzających głowic optoelektronicznych na IX poziomie gotowości technologii, możliwych do zastosowania zarówno w rozwiązaniach przeciwlotniczych (głowica wielospektralna), jak i przeciwpancernych (głowica obrazująca). Końcowym efektem będą prototypy głowic, integracja ich z platformą badawczą (rakietą) oraz weryfikacja poprawności działania seekerów w warunkach poligonowych.

Celem projektu jest opracowanie innowacyjnego systemu do przepływowej dezynfekcji powietrza zimną plazmą, działającego na zasadzie wyładowania barierowego.

Głównym celem niniejszego projektu jest opracowanie i wszechstronne zbadanie nowych jakościowo rozwiązań dla systemów komunikacji optycznej w wolnej przestrzeni (ang. free space optical communication, FSOC), bazujących na rozwiązaniach fotoniki scalonej.