You can d… do it! Nowa generacja. 😉 Opracowaliśmy już pierwszą generację tranzystorów GaN HEMT w klasie napięciowej 650V i wydajności prądowej 10 A. Natomiast, w ramach projektu GaNLIN, którego liderem jest nasz Instytut, opracujemy kolejną generację. Celem prac badawczych będzie zwiększenie maksymalnego napięcia pracy naszych tranzystorów oraz zwiększenie ich wydajności prądowej. Ich zastosowania będą naprawdę szerokie, a zapotrzebowanie na nie już jest ogromne!

Liczymy, że nowa generacja przyrządów znajdzie liczne zastosowania, nie tylko w konstrukcji zasilaczy czy ładowarek samochodowych, ale również w innych branżach, takich jak automotive, fotowoltaika czy przemysł AGD.

Łukasiewicz – IMiF wspólnie z Łukasiewicz – PORT, Łukasiewicz – IEL, Łukasiewicz – PIT oraz Łukasiewicz – ITR będą pracować nowa klasą tranzystorów również dla układów energoelektronicznych – modułów mocy.

Kierownikiem projektu jest dr hab. Anna Szerling, dr Andrzej Taube odpowiada za prace B+R, a dr Piotr Cywiński za komercjalizację.