Łukasiewicz – IMiF na International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026)

Czas czytania: 3min

Elektronika mocy przechodzi technologiczną rewolucję, a azotek galu (GaN) staje się jej nowym, wydajnym sercem. Przyszłość tej dynamicznej branży powstaje dziś w laboratoriach pracujących nad technologią GaN. Naukowcy z Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki wyruszają do Japonii, aby na prestiżowym międzynarodowym wydarzeniu International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026) zaprezentować przełomowe osiągnięcia, które będą kształtować kluczowe sektory naszej gospodarki w nadchodzących latach.

Dlaczego technologia GaN wyznacza nowe standardy w nowoczesnej mikroelektronice?

Elektronika mocy oparta na azotku galu (GaN) stanowi obecnie jeden z kluczowych kierunków rozwoju nowoczesnej mikroelektroniki. Rozwiązania opracowywane przez polskich badaczy stanowią bezpośrednią odpowiedź na najpilniejsze wyzwania rynku — potrzebę tworzenia elektroniki znacznie bardziej wydajnej, niezawodnej oraz energooszczędnej.

Czym zaskoczą nasi naukowcy na światowym kongresie IWN2026 w Japonii?

Naukowcy Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki zaprezentują swoje najnowsze wyniki badań podczas International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026) w Japonii. Jest to jedno z najważniejszych światowych wydarzeń poświęconych półprzewodnikom azotkowym. W listopadzie nasz zespół przedstawi w Kraju Kwitnącej Wiśni aż 6 prac naukowych. Co ciekawe, samo uczestnictwo w konferencji IWN2026 to dopiero początek japońskiej przygody naszych badaczy.

Jakie konkretne innowacje naukowe zaprezentuje zespół z Łukasiewicz – IMiF podczas IWN2026?

Za przygotowaniem prezentacji stoi nasz zespół z Grupy Badawczej Technologia GaN, czujniki, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate. Przedstawione na kongresie IWN2026 prace dotyczą m.in.:

  • Projektowania wertykalnych przyrządów GaN,
  • Wytwarzania wysokonapięciowych diod p-i-n GaN,
  • Technologii trawienia AlGaN, AlN i p-GaN,
  • Zaawansowanej charakteryzacji materiałów półprzewodnikowych.

Osiągnięcia te są bezpośrednim wynikiem realizacji projektu Wide Band Gap Pilot Line (WBG Pilot Line | future power electronics), który jest współfinansowany przez Chips Joint Undertaking, Komisję Europejską oraz Ministerstwo Nauki i Szkolnictwa Wyższego, a także wspierany z dotacji celowych Sieci Badawczej Łukasiewicz.

Kto odpowiada za te sukcesy i z jakimi partnerami współpracujemy?

Przełomowe badania realizowane są w ścisłej współpracy z renomowanymi instytucjami krajowymi i zagranicznymi — w tym z Instytutem Wysokich Ciśnień PAN oraz Infineon Technologies Austria AG.

Wśród autorów nadchodzących prezentacji naukowych na IWN2026 znajdują się wybitni eksperci i badacze:

  • dr inż. Andrzej Taube,
  • dr inż. Maciej Kamiński,
  • dr inż. Aneta Gołębiowska,
  • mgr inż. Jarosław Tarenko,
  • mgr Justyna Wierzbicka,
  • mgr inż. Bartłomiej Kołaczyński,
  • dr hab. inż. Anna Szerling,
  • dr hab. Paweł Piotr Michałowski.

Gdzie rozwiązania GaN znajdą praktyczne zastosowanie w gospodarce?

Technologie rozwijane przez naukowców Łukasiewicz – IMiF posiadają potężny potencjał komercyjny i aplikacyjny. Opracowane rozwiązania mogą znaleźć zastosowanie w czterech kluczowych strategicznie obszarach:

  1. Systemach energetycznych,
  2. Telekomunikacji,
  3. Przemyśle,
  4. Elektromobilności.

Są to dziedziny, które w najbliższych latach będą w coraz większym stopniu decydować o tempie rozwoju technologii oraz globalnej gospodarki.

Czytaj również

Spotkanie Łukasiewicz – IMiF z ekspertami z Tajwanu (ITRI) dotyczące półprzewodników GaN

Czytaj więcej

7 lat Sieci Badawczej Łukasiewicz i doktorat Marcina Guzy

Czytaj więcej

Zapraszamy na 18. Forum Gospodarcze TIME – już 9 marca!

Czytaj więcej

This will close in 0 seconds