Podczas 12th International Workshop on Nitride Semiconductors w Honolulu, naukowcy z Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki mieli możliwość prowadzić inspirujące dyskusje z ekspertami z całego świata. Wydarzenie to kontynuuje długą tradycję udanych spotkań, które odbywały się już m.in. w Berlinie (2022), Kanazawie (2018), Orlando (2016) oraz Wrocławiu (2014). IWN 2024 zgromadziło badaczy z całego świata, aby omówić najnowsze osiągnięcia w dziedzinie półprzewodników z grupy III-azotków.

Zespół badaczy z Centrum Nanotechnologii (grupa badawcza: Przyrządy GaN, czujniki, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate), zaprezentował najnowsze wyniki prowadzonych badań dotyczące technologii produkcji wertykalnych przyrządów na bazie GaN, tranzystorów mocy AlGaN/GaN HEMT oraz procesów wytwarzania struktur 3D na bazie GaN. Prezentowane prace i postery powstały w ramach projektów finansowanych przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju (NCBR), Narodowe Centrum Nauki (NCN), Centrum Łukasiewicz oraz z funduszy statutowych Łukasiewicz-IMiF.

Co niezwykle ważne w świecie naukowym konferencja była wyjątkową okazją do zaktualizowania wiedzy o aktualnych światowych trendach i wyzwaniach w dziedzinie azotków. Organizatorzy konferencji (State University) stworzyli sprzyjające warunki do owocnych rozmów naukowych, a także do chwili wytchnienia w pięknym otoczeniu. Nawet pogoda zdawała się wspierać naukowe dyskusje. Na pożegnanie  – tradycyjne “aloha,” oddające ducha życzliwości, szacunku i otwartości, który towarzyszył temu wyjątkowemu wydarzeniu. Na końcu – tęczy- czekała satysfakcja z dobrze wykonanej pracy i nawiązania nowych, inspirujących kontaktów.