Do stolicy Dolnego Śląska na początku grudnia przyciągnęło nas nie tylko piękno wrocławskiego Jarmarku Bożonarodzeniowego, ale przede wszystkim spotkanie konsorcjum projektu GaNLIN. Jego celem jest opracowanie nowej generacji tranzystorów HEMT. Takie przyrządy będą się cechować wyższymi napięciami oraz wydajnością prądową w porównaniu do obecnej generacji – ze względu na szerokie spektrum zastosowań  – od przemysłu AGD przez branżę motoryzacyjną aż po rozwiązania stosowanie w obronności. Tranzystory HEMT (High Electron Mobility Transistor) działają jak przełączniki – przepuszczają prąd lub go blokują. Dzięki unikalnej konstrukcji bazującej na materiałach szerokopasmowych,