GaNLIN

Celem projektu jest wprowadzenie na rynek polskiego tranzystora GaN HEMT (high electron mobility transistor) 650V i 1200 V do układów energoelektronicznych dla przemysłu wysokich mocy. Takie rozwiązanie da polskiemu przemysłowi możliwość wprowadzenia innowacyjnych rodzimych rozwiązań technologicznych w dziedzinie elektroniki do własnych produktów i wytworów działalności gospodarczej. Spowoduje to zwiększenie konkurencyjności polskich przedsiębiorstw na rynku europejskim i światowym. Technologia dla napięcia 650V jest obecnie na TRL 6. Po zakończeniu będzie TRL 9. Technologia dla innych klas napięciowych (100V, 200V, 750V, 950V 1200V) jest obecnie na TRL 3. Jednak przejście na wyższy poziom TRL będzie stosunkowo szybkie, uwzględniając skalowanie opracowanej technologii 650V na wyższe (bądź niższe) napięcia. Tranzystory na 1200V i 900V nie są jeszcze dostępne na rynku tak lokalnym jak i globalnym i to one w pierwszej kolejności będą celem projektu. Następnie nowa architektura będzie skalowana na niższe napięcia. W ramach projektu planowany jest rozwój platformy technologicznej tranzystorów GaN HEMT na w pierwszej kolejności na podłożach krzemowych, a następnie na podłożach szafirowych i SiC, w oparciu o własne oryginalne prace badawcze. Kluczowa, oryginalna cześć technologii będzie chroniona poprzez złożenie odpowiednich wniosków patentowych albo jest w trakcie rozpatrywania wniosków patentowych chroniących oryginalne rozwiązania w zakresie wzrostu heterostruktur GaN/AlGaN/GaN czy elementów technologii tranzystorów GaN HEMT. Łukasiewicz – IMiF posiada know-how dotyczące wytwarzania i projektowania topologii tranzystorów GaN HEM w tym kluczowych operacji technologicznych np. kształtowania obszaru bramki dla normalnie wyłączonych tranzystorów GaN HEMT czy też wytwarzania stabilnych termicznie, planarnych izolacji poszczególnych przyrządów za pomocą implantacji jonów. Tranzystory na napięcia 650V i niższe już dostępne są na rynku natomiast technologia opracowana przez Łukasiewicz – IMiF i konsorcjum projektu GaNLIN będzie (przynajmniej częściowo) inną od obecnie oferowanych, która będzie mogła być zabezpieczona wyłącznymi prawami własności intelektualnej. Istotną częścią projektu będą zakrojone na szeroką skalę badania elektryczne, termiczne, klimatyczne, niezwodnościowe i funkcjonalne tranzystorów GaN HEMT wytworzonych w ramach projektu tak aby w pełni wykazać założone parametry przyrządów, wysoką niezawodność technologii i przydatność w warunkach zbliżonych do rzeczywistych.