13 listopada 2025 roku miało miejsce wydarzenie o strategicznym znaczeniu dla przyszłości technologii w Polsce i Europie: uroczyście zainaugurowaliśmy Polski Węzeł European Wide Band Gap Semiconductors Pilot Line. Ta inicjatywa wyznacza nowy kierunek w rozwoju elektroniki mocy, a Łukasiewicz – IMiF z dumą jest jej gospodarzem, co stanowi ważny krok dla polskiej mikroelektroniki.

Polski Węzeł European Wide Band Gap Semiconductors Pilot Line to innowacyjna inicjatywa strategiczna, której celem jest rozwój technologii półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej (WBG). Półprzewodniki WBG, takie jak azotek galu (GaN) czy tlenek galu (Ga2O3), stanowią przyszłość elektroniki mocy, wykorzystywanej w takich dziedzinach jak odnawialne źródła energii, elektromobilność czy technologie 5G.

Projekt ten, którego realizacja miała swoje symboliczne rozpoczęcie 13 listopada 2025 roku, jest kluczowym elementem współpracy międzynarodowej, mającej na celu wspólne tworzenie i rozwój technologii WBG na poziomie europejskim. Polski Węzeł stanowi element globalnego projektu, który skupia się na wytwarzaniu zaawansowanych urządzeń półprzewodnikowych o wysokiej wydajności energetycznej.

Podjęcie działań związanych z rozwojem technologii WBG to istotny krok w kontekście budowy europejskiego ekosystemu nowoczesnej elektroniki. Dzięki projektowi, Polska staje się jednym z kluczowych graczy w dziedzinie mikroelektroniki, a Łukasiewicz – IMiF pełni rolę lidera w zakresie rozwoju i wdrożeń technologii WBG.

W trakcie wydarzenia odbył się wykład specjalnego gościa – prof. Tetsuo Narita z Toyota Central R&D Labs / Nagoya University, który przedstawił temat “Engineered Interface Charges in GaN MOSFETs Providing High Channel Mobility and E-mode Operation”. Wykład dotyczył najnowszych osiągnięć w dziedzinie wertykalnych tranzystorów mocy z azotku galu (GaN). Prof. Narita zaprezentował najnowsze technologie, które umożliwiają bardziej efektywne wykorzystanie GaN w elektronice mocy, co jest szczególnie istotne dla rozwoju urządzeń takich jak systemy energetyczne w pojazdach elektrycznych.

Łukasiewicz – IMiF odgrywa kluczową rolę w realizacji projektu European Wide Band Gap Semiconductors Pilot Line. Dr inż. Andrzej Taube z Grupy badawczej Technologia GaN, czujniki, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate, omówił postępy w rozwoju urządzeń mocy na bazie azotku galu i tlenku galu, które są jednym z filarów polskiego wkładu w projekt. Nasz instytut specjalizuje się w produkcji materiałów GaN i Ga2O3, a także w opracowywaniu zaawansowanych technologii wytwarzania struktur półprzewodnikowych.

Tomasz Tracz z Instytutu Wysokich Ciśnień PAN zaprezentował zagadnienia związane z produkcją wysokiej jakości materiałów GaN i struktur epitaksjalnych. Te technologie są kluczowe dla uzyskania półprzewodników o odpowiednich właściwościach elektrycznych i mechanicznych, które są niezbędne do produkcji wydajnych urządzeń mocy.

Dr Francesco La Via, kierownik projektu z CNR-IMM, przedstawił główne założenia projektu WBG Pilot Line, podkreślając rolę współpracy międzynarodowej i integracji w tym procesie. Zgodnie z planem, projekt ma na celu nie tylko rozwój technologii, ale również zwiększenie konkurencyjności europejskiego przemysłu elektroniki mocy na rynku globalnym.

W ramach projektu przewidziano szereg dalszych działań badawczo-rozwojowych, mających na celu optymalizację technologii produkcji oraz wdrożenie wyników w przemyśle. Oczekuje się, że projekt będzie miał ogromny wpływ na rozwój nowoczesnych technologii elektronicznych, a także na europejską niezależność w produkcji zaawansowanych komponentów elektronicznych.

Projekt European Wide Band Gap Pilot Line to także szansa na rozwój nowych zastosowań technologii WBG, takich jak energetyka odnawialna, elektromobilność czy technologie 5G. Otwiera to drzwi do nowych rozwiązań, które wkrótce staną się standardem w wielu branżach, przyczyniając się do zrównoważonego rozwoju i innowacyjności.

Projekt Polski Węzeł European Wide Band Gap Semiconductors Pilot Line to krok w stronę przyszłości. Inicjatywa ta nie tylko umacnia pozycję Polski jako lidera w dziedzinie mikroelektroniki, ale także stanowi fundament pod dalszy rozwój europejskiej technologii półprzewodnikowej. Dziękujemy wszystkim, którzy przyczynili się do realizacji tego przedsięwzięcia.