Autor zdjęcia: Kamil Gapiński, Centrum Łukasiewicz
W Łukasiewicz – Instytucie Mikroelektroniki i Fotoniki odbyło się spotkanie polskich naukowców z ekspertami z Tajwanu, poświęcone technologiom półprzewodnikowym opartym na azotku galu (GaN).
W wydarzeniu uczestniczyła delegacja przedstawicieli ITRI (Industrial Technology Research Institute) pod przewodnictwem ministra Lin Chia-Lunga. Stronę polską reprezentowali naukowcy z Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki oraz Centrum Łukasiewicz na czele z prezesem dr. Hubertem Cichockim. Swoje działania i plany rozwoju w obszarze technologii zaprezentowali dr inż. Andrzej Taube z Łukasiewicz – IMiF oraz dr Robert Lo z ITRI.
Program spotkania obejmował prezentacje poświęcone kompetencjom Łukasiewicz – IMiF oraz ITRI w zakresie technologii GaN. Uczestnicy odbyli również wizytę w nowoczesnych laboratoriach instytutu.
Dlaczego technologia półprzewodnikowa oparta na azotku galu (GaN) jest tak istotna?
Półprzewodniki szerokoprzerwowe nowej generacji są fundamentem rozwoju energooszczędnej elektroniki mocy. Znajdują one zastosowanie m.in. w elektromobilności, energetyce, telekomunikacji, systemach radarowych oraz technologiach bezpieczeństwa. Nasz instytut rozwija technologie urządzeń GaN, a także uczestniczy w europejskich inicjatywach wzmacniających kompetencje w obszarze zaawansowanych półprzewodników.
Nauka w wymiarze międzynarodowym
Relacje pomiędzy Łukasiewicz – IMiF a ITRI są rozwijane od 2022 roku. Tworzą one solidne podstawy do prowadzenia wspólnych badań, wymiany wiedzy oraz budowy długofalowego ekosystemu technologii GaN.
