W ramach naszej witryny stosujemy pliki cookies w celu świadczenia Państwu usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że pliki opisane w Polityce Prywatności będą zamieszczane na Państwa urządzeniu końcowym. W każdej chwili możecie Państwo zmienić ustawienia dotyczące plików cookies w przeglądarce internetowej. Akceptacja niezbędnych plików cookies jest wymagana do prawidłowego działania witryny. Szczegółowe informacje znajdą Państwo w zakładce POLITYKA PRYWATNOŚCI.

wyniki wyszukiwania:Charakteryzacja Materiałów i Przyrządów

Czy technika SIMS może potwierdzić autentyczność Całunu Turyńskiego?

Czy technologia, którą na co dzień wykorzystujemy w Łukasiewicz – Instytucie Mikroelektroniki i Fotoniki do badania nowoczesnych czujników grafenowych, może rozwikłać zagadkę sprzed dwóch tysięcy lat? Dr hab. Paweł Michałowski, ekspert z 20-letnim doświadczeniem w technice SIMS, analizuje naukowe fundamenty badań wapienia znalezionego na Całunie Turyńskim i wyjaśnia, dlaczego w świecie nauk empirycznych słowo „dowód” ma zupełnie inne znaczenie, niż nam się wydaje. W pigułce: co musisz wiedzieć o technice SIMS i Całunie SIMS to “alfa i omega”: Spektrometria Mas Jonów Wtórnych to niezwykle czuła metoda pozwalająca identyfikować pierwiastki i izotopy

Tomografia bez stresu? U nas to możliwe

Tomografia komputerowa kojarzy się głównie z medycyną i charakterystycznym komunikatem „proszę się nie ruszać”. Tymczasem w laboratoriach Sieci Badawczej Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki „pacjenci” są znacznie bardziej… współpracujący. Dzięki temu możliwe jest obrazowanie ich wnętrza z precyzją, o której medycyna może jedynie marzyć – bez stresu, bez ruchu i przede wszystkim bez niszczenia badanych obiektów. Na czym polega rentgenowska tomografia komputerowa? Rentgenowska tomografia komputerowa to technika obrazowania, która pozwala zajrzeć do wnętrza materiału warstwa po warstwie i odtworzyć jego pełną strukturę 3D. Kluczową zaletą tej metody jest jej

SIMS na horyzoncie nauki

Marzec to czas przebudzenia — zarówno w naturze, jak i w nauce. Czasem wystarczy jeden moment, jedno spotkanie z ideą lub metodą badawczą, by zapoczątkować drogę, której efekty rozwijają się niemal wykładniczo. W jubileuszowym roku 60-lecia Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki ten miesiąc przyniósł wyjątkową, naukową koincydencję. Jak marzec połączył jubileusz instytutu z osobistą rocznicą naukowca? W tym samym czasie, gdy instytut świętuje swoje 60-lecie, marzec okazuje się również szczególnym miesiącem dla dr. hab. Pawła Piotra Michałowskiego, kierującego Grupą Badawczą Charakteryzacja Materiałów i Przyrządów.

Publikacja naukowców z Grupy badawczej charakteryzacja materiałów i przyrządów odsłania nowe oblicze struktury GaAs

Nauka lubi zaskakiwać — szczególnie wtedy, gdy pozwala zobaczyć to, co do tej pory pozostawało poza zasięgiem jakichkolwiek metod pomiarowych. Najnowsza publikacja w Journal of Applied Physics, która powstała za sprawą współpracy naszego Instytutu z Politechniką Warszawską, VIGO Photonics, Tyndall National Institute i ENSEMBLE3 sp. z o. o. , pokazuje, że technika ULIE-SIMS umożliwia zajrzenie w głąb struktur GaAs z precyzją i wnikliwością niespotykaną dotąd w klasycznych metodach profilowania. Czym wyróżnia się metoda ULIE-SIMS? ULIE-SIMS to odmiana techniki SIMS wykorzystująca ultra niskie energie jonów pierwotnych. Dzięki temu

Dr hab. Agnieszka Grabias & Mössbauer Century Club

Dr hab. inż. Agnieszka Grabias dołączyła do elitarnego grona 206 naukowców z całego świata (w tym sześciu z Polski) – „Mössbauer Century Club”. Grupę tworzą badacze, którzy opublikowali ponad 100 artykułów dotyczących wyników badań naukowych otrzymanych przy zastosowaniu metody spektroskopii mössbauerowskiej, licząc od 1958 roku, czyli od odkrycia efektu bezodrzutowej emisji i absorpcji promieniowania gamma przez jądra atomów w ciele stałym przez Rudolfa Mössbauera. Warto nadmienić, że odkrywca efektu Mössbauera został uhonorowany Nagrodą Nobla z Fizyki w zaledwie kilka lat po opublikowaniu swojego odkrycia, tj. w 1961 roku. Obecnie

Polski naukowiec Paweł Piotr Michałowski w Waszyngtonie

Polski akcent na międzynarodowej konferencji naukowej? I to jaki! Dr hab. Paweł Piotr Michałowski z Sieci Badawczej Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki reprezentował Polskę podczas prestiżowego ACS Fall Meeting 2025 w Waszyngtonie. Jego wystąpienie na temat analizy materiałów 2D metodą SIMS spotkało się z ogromnym zainteresowaniem. Kim jest Paweł Piotr Michałowski i w jakim celu pojechał do Waszyngtonu? Dr hab. Paweł Piotr Michałowski to przedstawiciel Grupy Badawczej Charakteryzacja Materiałów i Przyrządów w Sieci Badawczej Łukasiewicz – Instytucie Mikroelektroniki i Fotoniki. Jego zaproszenie do udziału w konferencji organizowanej przez American Chemical Society

Zapraszamy na darmowy webcast poświęcony SIMS i MXenes

Nasz badacz dr hab. Paweł Michałowski chce zadać Wam pytanie: „Czy interesują Was takie zagadnienia jak SIMS, MXene lub nanotechnologia?” Jeśli TAK, to zapraszamy do wzięcia udziału w bezpłatnej transmisji online (webcaście) zorganizowanej przez rodzinę czasopism naukowych „Nature” i Cameca, zatytułowanej „Secondary Ion Mass Spectrometry characterization of MAX and MXene samples – achieving atomic depth resolution for small particles”! Dowiecie się z niej jak: • zastosowanie techniki SIMS do charakteryzacji MAX i MXene dostarcza ważnych informacji o ich strukturze • uzyskać rozdzielczość

Paweł Piotr Michałowski został redaktorem!

  Piotr Michałowski został redaktorem czasopisma Microelectronic Engineering wydawanego przez Elsevier. Będzie zarządzał procesem recenzji i oceniał artykuły zgłoszone do publikacji w czasopiśmie. Redaktor naczelny, profesor Mario Lanza, zaprosił go do współpracy w uznaniu jego wkładu w charakteryzację materiałów i urządzeń microelectronic za pomocą techniki spektrometrii mas jonów wtórnych (SIMS). – To wielki zaszczyt i odpowiedzialność. Mam nadzieję, że przyczynię się do rozwoju społeczności naukowej, pomagając zapewnić jakość i integralność publikowanych badań. – podkreśla Michałowski  

Powstała nowa heterostruktura!

  2D MoS2 jest półprzewodnikiem, co oznacza, że można kontrolować jego właściwości i indukować przewodnictwo. MoS2 charakteryzuję się dobrą dostępnością, niskimi kosztami wytworzenia, biokompatybilnością, dobrymi właściwościami mechanicznymi i chemicznymi. Posiada również unikalne właściwości optyczne, katalityczne i elektryczne. Jednak 2D MoS2 może zyskać zupełnie inne właściwości, a nasi badacze pokazali, jak dokładnie jest to możliwe! Odkryli, że implantując atomy tlenu do 2D MoS2, mogą w ten sposób stworzyć nową strukturę heterostrukturę MoS2/MoO3 o obiecujących właściwościach. (MoS2 był implantowany tlenem, ale to wcale nie było takie

Byliśmy na targach Battery Forum

Rozbudowaliśmy nasz system SEM/FIB o unikalny detektor EDS oraz układ mrożeniowy! Udział w targach Battery Forum okazał się trafioną decyzją. Nasze nowe, bardziej zaawansowane usługi badawcze, które są kluczowe dla rozwoju nowych generacji baterii zaprezentowali eksperci, Adam Łaszcz i Marek Wzorek z GB Charakteryzacja Materiałów i Przyrządów (Paweł Piotr Michałowski). Jakie inne innowacje technologiczne są dla Was najbardziej interesujące? Podczas targów przedstawiliśmy również inne popularne techniki badawcze, takie jak : – rentgenowska tomografia komputerowa, – dyfraktometria rentgenowska (XRD)

This will close in 0 seconds