Do stolicy Dolnego Śląska na początku grudnia przyciągnęło nas nie tylko piękno wrocławskiego Jarmarku Bożonarodzeniowego, ale przede wszystkim spotkanie konsorcjum projektu GaNLIN. Jego celem jest opracowanie nowej generacji tranzystorów HEMT. Takie przyrządy będą się cechować wyższymi napięciami oraz wydajnością prądową w porównaniu do obecnej generacji – ze względu na szerokie spektrum zastosowań  – od przemysłu AGD przez branżę motoryzacyjną aż po rozwiązania stosowanie w obronności.

Tranzystory HEMT (High Electron Mobility Transistor) działają jak przełączniki – przepuszczają prąd lub go blokują. Dzięki unikalnej konstrukcji bazującej na materiałach szerokopasmowych, takich jak GaN, potrafią działać szybciej i bardziej efektywnie niż tradycyjne tranzystory.

Naukowcy z Łukasiewicz-IMiF, w tym kierownik projektu Anna Szerling oraz kierownik prac B+R Andrzej Taube, odwiedzili Łukasiewicz-PORT, aby wspólnie z pozostałymi partnerami projektu (Łukasiewicz-PIT i Łukasiewicz-ITR) omówić konstrukcję przyrządów, postępy w pracach, osiągnięcia i wyzwania, metody weryfikacji wyników oraz, the last but not least, potencjał komercjalizacji technologii. To spotkanie pozwoliło nam spojrzeć z nowej perspektywy na wyzwania i przyszłość projektu.

Jesteśmy na dobrej drodze, aby zaprezentować światu potencjał, jaki drzemie w polskiej mikroelektronice!