Złota polska jesień pod monumentalnym świetlikiem gmachu Politechniki Warszawskiej stanowiła oprawę dla prezentacji najnowszych osiągnięć technologicznych. Podczas prestiżowej konferencji E-MRS Fall Meeting 2026 (14–17 września 2026 r.) naukowcy i doktoranci Łukasiewicz – Instytutu Mikroelektroniki i Fotoniki przedstawili wyniki badań z obszaru zaawansowanych materiałów, sensoryki oraz elektroniki. Odkryj innowacje naszych ekspertów i strategiczne inicjatywy, które zacieśniają współpracę w ramach europejskiego ekosystemu półprzewodnikowego.
W jaki sposób węglik krzemu i grafen wspierają rozwój diagnostyki termojądrowej i zaawansowanej sensoryki?
W ramach prac Grupy Badawczej Technologie SiC dr inż. Tymoteusz Ciuk omówił potencjał materiałów dwuwymiarowych (2D) w diagnostyce magnetycznej dla przyszłych reaktorów termojądrowych typu tokamak. Sercem rozwijanego układu pomiarowego jest grafen elektroniczny na węgliku krzemu (technologia #GET), stanowiący fundament prac realizowanych w ramach projektu EUREKA (NCBR) z partnerem Next Step Fusion. Z kolei mgr inż. Karolina Piętak-Jurczak (w projekcie NCN PRELUDIUM 21) zaprezentowała wyniki dotyczące zarodkowania i początkowego wzrostu nanometrycznych warstw tlenku glinu w procesie ALD na grafenie quasi-swobodnym na węgliku krzemu, co służy zwiększeniu trwałości i stabilności grafenowych struktur sensorycznych w wymagających środowiskach pracy. Ponadto mgr Artur Dobrowolski przedstawił bezinwazyjną metodę spektroskopii Ramana do precyzyjnego wyznaczania stosunku glinu do galu w kryształach, co umożliwia analizę drgań sieci krystalicznej półprzewodników szerokoprzerwowych bez uszkadzania próbki.
Jakie innowacje rozwijają Grupy Badawcze Materiały Inteligentne oraz Technologia GaN?
W Grupie Badawczej Materiały Inteligentne dr hab. inż. Anna Kozłowska zaprezentowała temat powłok historii termicznej wysokich temperatur na bazie YAG domieszkowanego pierwiastkami ziem rzadkich. Równolegle w Grupie Badawczej Technologia GaN, struktury cienkowarstwowe i materiały porowate mgr inż. Aleksandra Wójcicka omówiła badania dotyczące diod Schottky’ego oraz heterozłączy na bazie tlenku galu. Ponadto dr hab. inż. Marek Guziewicz przedstawił wyniki badań dotyczące odbudowy struktury krystalicznej implantowanego 4H-SiC po wygrzewaniu wysokotemperaturowym.
Dlaczego strategiczny projekt WBG Pilot Line to kluczowa inicjatywa dla europejskiego programu Chips Act?
Podczas konferencji dr inż. Andrzej Taube zaprezentował również strategiczny projekt WBG Pilot Line, ukierunkowany na rozwój pilotażowej linii produkcyjnej nowoczesnych półprzewodników o szerokiej przerwie energetycznej (Wide Band Gap). Inicjatywa ta stanowi jedną z flagowych linii pilotażowych finansowanych w ramach unijnego programu Chips for Europe (Chips JU / Chips Act), mającą na celu budowę zintegrowanej infrastruktury do rozwoju technologii dla energoelektroniki oraz technologii radiowych (RF). Naukowcy Łukasiewicz – IMiF, jako partner konsorcjum, odpowiadają za wdrażanie procesów technologicznych i rozwój przyrządów opartych na (U)WBG, prezentując osiągnięcia w obszarze struktur GaN i Ga₂O₃ oraz optymalizacji właściwości elektrycznych materiałów. Udział w E-MRS to dla naszego zespołu przestrzeń do dyskusji, nawiązywania międzynarodowych współprac i zacieśniania relacji z globalną społecznością naukową.
