Zespół badawczy dr hab. Anny Szerling z Sieci Badawczej Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki reprezentuje Polskę na prestiżowej 15. Międzynarodowej Konferencji Półprzewodników Azotowych (ICNS-15), która odbywa się w dniach 6–11 lipca 2025 roku w Malmö. To jedno z najważniejszych światowych wydarzeń poświęconych półprzewodnikom grupy III-azotków, w szczególności GaN.

• Lokalizacja i termin konferencji naukowej: ICNS-15, Malmö (Szwecja), 6–11 lipca 2025

• Uczestnictwo zespołu badawczego dr hab. Anny Szerling z Łukasiewicz – IMiF

• Znaczenie badań naukowych: rozwój technologii trójwymiarowych struktur mikroelektronicznych i optycznych dzięki zaawansowanemu trawieniu GaN

• Zaproszenie do naukowej współpracy: otwartość zespołu na kontakty naukowe i przemysłowe

ICNS-15: Międzynarodowa scena dla polskich badań nad GaN

Udział naukowców z Sieci Badawczej Łukasiewicz – IMiF w ICNS-15 to dowód na rosnącą pozycję Polski w dziedzinie badań nad azotkiem galu i jego heterostrukturami. Prezentacje dotyczące m.in. tranzystorów HEMT, diod pionowych i technik trawienia pokazują szeroki zakres kompetencji instytutu oraz jego wkład w rozwój nowoczesnych technologii półprzewodnikowych. Szczególne zainteresowanie wzbudziły wyniki badań nad precyzyjnym trawieniem struktur pionowych GaN, które mają kluczowe znaczenie w projektowaniu wydajnych komponentów elektronicznych i optoelektronicznych.

Organizatorzy konferencji stworzyli inspirującą przestrzeń do wymiany myśli i doświadczeń, co otwiera nowe perspektywy współpracy międzynarodowej. Wszystkich zainteresowanych dalszym rozwojem technologii GaN zachęcamy do kontaktu z naszym zespołem badawczym.

Zaprezentowane badania naukowe na 15. Międzynarodowej Konferencji Półprzewodników Azotowych

• Andrzej Taube: Diody GaN-on-GaN klasy 1200 V z zaawansowaną geometrią końcówek
• Justyna Wierzbicka: HEMT-y z bramką p-NiO bez warstwy buforowej na podłożach SiC
• Maciej Kamiński: Wysokonapięciowe tranzystory AlGaN/GaN HEMT (1200 V)
• Jarosław Tarenko: Trawienie struktur GaN w plazmie chlorowej z dodatkami BCl₃ i SiCl₄
• Aneta Gołębiowska: Niestabilności napięcia progowego w GaN MOSFET-ach z różnymi tlenkami bramkowymi
• Aleksandra Wójcicka: Zastosowanie CuOx jako alternatywnego materiału bramki
• Wojciech Hendzelek: Wpływ ciśnienia tlenu na właściwości diod NiO/GaN