Publikacja naukowców z Grupy badawczej charakteryzacja materiałów i przyrządów odsłania nowe oblicze struktury GaAs
Nauka lubi zaskakiwać — szczególnie wtedy, gdy pozwala zobaczyć to, co do tej pory pozostawało poza zasięgiem jakichkolwiek metod pomiarowych. Najnowsza publikacja w Journal of Applied Physics, która powstała za sprawą współpracy naszego Instytutu z Politechniką Warszawską, VIGO Photonics, Tyndall National Institute i ENSEMBLE3 sp. z o. o. , pokazuje, że technika ULIE-SIMS umożliwia zajrzenie w głąb struktur GaAs z precyzją i wnikliwością niespotykaną dotąd w klasycznych metodach profilowania. Czym wyróżnia się metoda ULIE-SIMS? ULIE-SIMS to odmiana techniki SIMS wykorzystująca ultra niskie energie jonów pierwotnych. Dzięki temu